nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn),他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
- 關(guān)鍵字: 燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash
NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
- 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我
- 關(guān)鍵字: NOR flash Nand flash FlaSh
SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
- 現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop,I
- 關(guān)鍵字: 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言,存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前,我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM
美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng),此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
機(jī)器學(xué)習(xí)或能為延長(zhǎng)NAND壽命提供解決方案
- NAND在今日儲(chǔ)存市場(chǎng)中占有一席之地,而為了延長(zhǎng)NAND的使用壽命,近來有研究提出,透過機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用,可讓NAND的儲(chǔ)存容量、耐久性以及資料保存達(dá)到最佳化。 InformationWeek網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),近期數(shù)位資料儲(chǔ)存顧問機(jī)構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出,NAND因重覆讀寫而使儲(chǔ)存單元劣化、致使耐用度降低的情況,將可望因機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善,使其生命周期延長(zhǎng)。 一般來說
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
中國NAND閃存市場(chǎng)占全球1/3
- 相對(duì)于舊式 HDD 硬盤的式微,NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲(chǔ)存市場(chǎng)的潮流風(fēng)向。不論是在移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)上都在快速成長(zhǎng)。而目前因?yàn)橹袊呀?jīng)成為 NAND 閃存的最大市場(chǎng),而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。因此,也吸引了各家中國本土廠商的競(jìng)相投入。 在NAND 閃存的市場(chǎng)部分,根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報(bào)告顯示,中國市場(chǎng)消耗的 NAND 閃存越來越多,2017 年將占到全球市占率的 30% ,而到了 202
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
儲(chǔ)存技術(shù)不斷演進(jìn) NAND Flash僅是開端
- 在進(jìn)展緩慢的儲(chǔ)存技術(shù)世界里,NAND Flash的普及速度算是極快,幾乎每種儲(chǔ)存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報(bào)導(dǎo),NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲(chǔ)存裝置,后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對(duì)小量的快閃存儲(chǔ)器,便可以大幅提升效能以快閃存儲(chǔ)器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲(chǔ)存裝置也開始大受歡迎。 由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù),以及IBM根據(jù)相變化存儲(chǔ)器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲(chǔ)存裝置,在速度、耐用性和重
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對(duì)近期擴(kuò)建的中國上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營。TPI將對(duì)此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對(duì)中國快速成長(zhǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長(zhǎng)期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案
- 美光科技有限公司今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù),并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。美光的首項(xiàng)移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機(jī)細(xì)分市場(chǎng),這一細(xì)分市場(chǎng)大約占據(jù)全球智能手機(jī)總量的 50%[1]。隨著移動(dòng)設(shè)備替代個(gè)人電腦成為消費(fèi)者的主要計(jì)算設(shè)備,用戶行為對(duì)設(shè)備的移動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問題,實(shí)現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗(yàn),包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡(jiǎn)單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達(dá)二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲(chǔ)存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473