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慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強(qiáng)
- 慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！ {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件
- 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正在強(qiáng)勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成?？其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。 我們
- 關(guān)鍵字： 5G SiC
Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET
- 全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場帶來創(chuàng)新設(shè)計(jì)
- EPC公司的管理及技術(shù)團(tuán)隊(duì)將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會上，與工程師會面并作技術(shù)交流。屆時，EPC團(tuán)隊(duì)將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計(jì)，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面?！ irFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日) 首屆AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
- 關(guān)鍵字： 宜普 MOSFET
安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)?！ “采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中提高功率吞吐量的障礙
- 當(dāng)前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設(shè)計(jì)人員選擇避免多級轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負(fù)載點(diǎn)電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會進(jìn)一步提高?！ ‰娫葱袠I(yè)通過對niPOL進(jìn)行多項(xiàng)技術(shù)升級來應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。過去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導(dǎo)體集成和M
- 關(guān)鍵字： ZVS MOSFET
納微半導(dǎo)體將在中國臺灣的電源設(shè)計(jì)技術(shù)論壇活動上
- 納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場應(yīng)用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計(jì)與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計(jì)”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項(xiàng)活動的銀級贊助商，該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識?！ ↑S萬年
- 關(guān)鍵字： 納微 SiC
ROHM贊助上海同濟(jì)大學(xué)“DIAN Racing”電動方程式車隊(duì)
- 近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環(huán)保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發(fā)和引進(jìn)計(jì)劃，未來新能源汽車的普及將會進(jìn)一步加速。其中，中國新能源汽車市場發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術(shù)的快速發(fā)展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場?！ ∽鳛槿蛑雽?dǎo)體制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標(biāo)領(lǐng)域，通過開發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創(chuàng)新型高
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
通過電源模塊提高電動工具設(shè)計(jì)的性能
- 電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機(jī)。BLDC電機(jī)效率更高、維護(hù)少、噪音小、使用壽命更長。 驅(qū)動電機(jī)功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護(hù)可靠、峰值電流承載能力強(qiáng)。小尺寸可實(shí)現(xiàn)工具內(nèi)的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計(jì)。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護(hù)可延長使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)。 為在兩個方向上驅(qū)動BDC電機(jī)，您
- 關(guān)鍵字： BLDC MOSFET
汽車電源的監(jiān)視和開關(guān)
- 引言 在如今的汽車中，為了提高舒適度和行車體驗(yàn)而設(shè)計(jì)了座椅加熱、空調(diào)、導(dǎo)航、信息娛樂、行車安全等系統(tǒng)，從這些系統(tǒng)很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統(tǒng)的好處?，F(xiàn)在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時，在汽油動力汽車中，一個電子組件都沒有。在世紀(jì)交替時期的汽車開始有了手搖曲柄，前燈開始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點(diǎn)，最大限度減少了機(jī)械系統(tǒng)的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
- 關(guān)鍵字： 電源 MOSFET
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類市場
- MOSFET漲價(jià)何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說。 MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
- 關(guān)鍵字： MOSFET DFN
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