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sic-mosfet 文章 進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)
600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)
- 017年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿(mǎn)足了高功率SMPS市場(chǎng)對(duì)諧振拓?fù)涞男枨?。它的LLC和ZVS PSFB等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渚邆錁I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和 電動(dòng)汽車(chē)充電站等高功率SMPS應(yīng)用?！ ?nbsp;&n
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)
- MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說(shuō)。 MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類(lèi)元器件
- 關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓
MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車(chē)用電子 供貨緊張
- 面對(duì)國(guó)際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車(chē)用電子領(lǐng)域，并開(kāi)始采取限量供應(yīng)MOSFET芯片給PC、NB及移動(dòng)裝置產(chǎn)品客戶(hù)的情形，大中、富鼎、尼克森等臺(tái)系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營(yíng)收成長(zhǎng)力道，客戶(hù)追加訂單的盛況更是前所未見(jiàn)。雖然第4季全球PC及NB市場(chǎng)需求照理說(shuō)會(huì)開(kāi)始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺(tái)需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶(hù)對(duì)于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺(tái)系MOSFET芯片供應(yīng)商多已表達(dá)淡季不淡的樂(lè)觀預(yù)期看法
- 關(guān)鍵字： MOSFET 芯片
MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力
- 以MLCC為代表的被動(dòng)元件在進(jìn)入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價(jià)格大漲，部分物料漲幅甚至超過(guò)10倍。而與被動(dòng)元件市場(chǎng)行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價(jià)格上漲，即便是在溢價(jià)20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來(lái)。更嚴(yán)重的是，MOSFET芯片市場(chǎng)缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計(jì)到2019年局面才能改觀。 據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場(chǎng)總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
- 關(guān)鍵字： MOSFET MLCC
如何確保MOS管工作在安全區(qū)
- 電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！ ∥覀冎篱_(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。這里就衍生一個(gè)概念，安全工作區(qū)?！ ∫?、什么是安全工作區(qū)? 安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破
- 近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。 通常，國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 SiC
精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案
- 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動(dòng)，DCMB的控制方式，沒(méi)有二極管反向恢復(fù)，開(kāi)關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿(mǎn)足不同功率輸出的要求。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 可控硅調(diào)光 LED燈絲燈
導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減
- 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的，半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載時(shí)的功率損耗。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極屏蔽 快捷半導(dǎo)體
為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路
- 為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路-反向極性解決方案被看成是一個(gè)迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車(chē)系統(tǒng)中，搭線啟動(dòng)期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員也必須忍受反向極性保護(hù)出現(xiàn)時(shí)的功率損耗。
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電池 反向極性保護(hù) 二極管 MOSFET
有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器的演變
- 有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過(guò)了漫漫長(zhǎng)路。2015年正發(fā)布的組件具有無(wú)與倫比的精細(xì)度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲(chǔ)器密度更大，每樣?xùn)|西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時(shí)候都多的組件。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 集成電路
Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超高速切換
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
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