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	sic-mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          LED襯底第三代半導體SiC技術的崛起
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
　　

 
　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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          • 關鍵字：
                        LED  SiC  MOSFET                          
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          封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　I.引言
　　高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)低導通電阻，以降低開關損耗和導通損耗。這些快速開關器件容易觸發(fā)開關瞬態(tài)過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關瞬態(tài)過沖，設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關器件，總是存在效率與易用性的
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          • 關鍵字：
                        寄生電感  MOSFET                          
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          Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統(tǒng)的完整性。
　　新控制器通過以這種方式驅動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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          • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET  ZXGD3108N8                          
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          東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　東芝公司旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導通電阻，實現(xiàn)業(yè)界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。
　　注：
　　·[1]截至2014年11月4日。東芝調查。
　　·[2]Qoss：輸出電荷。
　　主要特性
　　&m
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          • 關鍵字：
                        東芝  MOSFET  低導通電阻                          
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          IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網(wǎng)絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。
　　

 
　
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          • 關鍵字：
                        國際整流器  MOSFET  DC-DC                          
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          聯(lián)電明年產(chǎn)能 搶購一空
          
                                                            
            
                    	
          • 　　8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。
　　過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅動IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機導入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進，相關芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場榮景。
　　此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。
　　包括指紋辨識芯片、LCD驅動IC及電源管理芯片三大半
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          • 關鍵字：
                        聯(lián)電  MOSFET  LCD                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構，整合了擴展頻譜調制，即使開關頻率超過 2MHz 時，依然能夠將 EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關頻率為 2MHz 時可提供高達 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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          • 關鍵字：
                        凌力爾特  LT8640  MOSFET                          
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          易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標準，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當面對 MIL-STD-1275D 中嚴格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應用而言，要滿足該標準就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V 
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          • 關鍵字：
                        凌力爾特  DC2150A  MOSFET                          
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          ROHM：國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內部印制電路板所需搭載的半導體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。
　　談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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          • 關鍵字：
                        ROHM  半導體  SiC                          
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          IR的電池保護MOSFET系列為移動應用提供具有成本效益的靈活解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
　　

 
　　全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD
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          • 關鍵字：
                        IR  MOSFET  IRL6297SD                          
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          意法半導體(ST)的新650V超結MOSFET提升能效和安全系數(shù)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結 (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。
　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進的超結晶體管技術，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET  PowerFLAT                          
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          意法半導體(ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器成功登陸彗星
          
                                                            
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號和菲萊號內有10,000余顆意法半導體研制的高可靠性抗輻射芯片。
　　在歷經(jīng)10多年，長達60億公里的漫長太空之旅后，羅塞塔號彗星探測器終于抵達并成功釋放菲萊號登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          單相正弦波逆變電源
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要：本系統(tǒng)實現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進調整。以MSP430單片機為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負載調整率低于1%，采用開關電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達到90%，采用輸入電流前饋法來估計輸出電流以實現(xiàn)過流保護以及自恢復功能。
　　引言
　　本次競賽為全封閉式，不準利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊在兩天時間內完成題
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          • 關鍵字：
                        正弦波  MSP430  單片機  SPWM  MOSFET  201412                          
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          基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　引言
　　在照明技術中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因為其應用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國為了推廣電子節(jié)能燈的應用，采取了財政補貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國百姓和消費者。
　　所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長。本文以飛兆半導體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
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          • 關鍵字：
                        FAN7710V  電子鎮(zhèn)流器  MOSFET                          
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          sic-mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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