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          基于功率MOSFET的鋰電池保護電路設(shè)計

          •   鉛酸電池具有安全、便宜、易維護的特點,因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高,鉛酸電池的使用會越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型的環(huán)保電池,開始逐步的應(yīng)用到電動車中,并且將成為發(fā)展趨勢。通常,由于磷酸鐵鋰電池的特性,在應(yīng)用中需要對其充放電過程進行保護,以免過充過放或過熱,以保證電池安全的工作。短路保護是放電過程中一種極端惡劣的工作條件,本文將介紹功率MOSFET在這種工作狀態(tài)的特點,以及如何選取功率MOSFET型號和設(shè)計合適的驅(qū)動
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  鋰電池  MOSFET  

          麥瑞半導(dǎo)體推出新型 85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動器

          •   麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel, Inc.) 推出一款 85V 全橋MOSFET驅(qū)動器MIC4606,該驅(qū)動器具有自適應(yīng)停滯時間和擊穿保護功能。這款元件是麥瑞半導(dǎo)體最初于2013年推出的極其成功的85V MOSFET驅(qū)動器系列的成員,專注于滿足多種應(yīng)用不斷增長的電力需求。85V MIC4606系列是麥瑞半導(dǎo)體為滿足電池供電的工具、不間斷電源、無線電控制的玩具和不斷增長的無人機市場的需求而實施的策略的一部分。   麥瑞半導(dǎo)體高性能線性和電源解決方案部門營銷副總裁 Brian Hedayati 表示:&l
          • 關(guān)鍵字: 麥瑞  驅(qū)動器  MOSFET  MIC4606  201410  

          IR推出車用40V 5x6mm雙PQFN COOLiRFET? 為小功率電機提供基準性能

          •        全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品——AUIRFN8459和AUIRFN8458,為需要小體積、大電流的汽車應(yīng)用,比如泵電機控制、車身控制等提供基準導(dǎo)通電阻(Rds(on))。   在采用IR最先進的COOLiRFET™ 40
          • 關(guān)鍵字: 國際整流器  COOLiRFET  MOSFET   

          幾種主流MOSFET驅(qū)動電路的分析

          •   開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能指標。一個好的MOSFET驅(qū)動電路的要求是:   (1)開關(guān)管開通瞬時,驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩;   (2)開關(guān)管導(dǎo)通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定使可靠導(dǎo)通;   (3)關(guān)斷
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  MOSFET  驅(qū)動電路  

          從USB獲得高效的雙軌電源

          •   設(shè)計5V以外電源的小功率USB電路時,您必須確定是使用獨立電池,還是使用來自主機的小型電源。如果電路需要大于5V的雙軌電源(如采用了基于運放的儀表放大器),或必須用于便攜計算機如筆記本電腦上,則問題就更復(fù)雜了。   USB2.0標準規(guī)定了對連接設(shè)備的功率要求,即耗電最大100mA,視為小功率;耗電最大500mA,則視為大功率。本文所述電路原用于一個熱致發(fā)光(TL)儀器設(shè)計,設(shè)計中的微控制器、USB接口控制器,以及10個運放均作為小功率器件,從一個USB端口獲得全部電源。   設(shè)備的運行需要有高性能
          • 關(guān)鍵字: USB  雙軌電源  MOSFET  

          麥瑞半導(dǎo)體推出新型 85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動器以應(yīng)對電池供電工具的技術(shù)改進

          •   高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司 (Micrel, Inc.) 今天推出一款 85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動器 MIC4606,該驅(qū)動器具有自適應(yīng)停滯時間和擊穿保護功能。這款元件是麥瑞半導(dǎo)體最初于2013年推出的極其成功的 85V MOSFET 驅(qū)動器系列的成員,專注于滿足多種應(yīng)用不斷增長的電力需求。85V MIC4606 系列是麥瑞半導(dǎo)體為滿足電池供電的工具、不間斷電源、無線電控制的玩具和不斷增長的無人機市場的需求而實施的策略的一部分。MIC
          • 關(guān)鍵字: 麥瑞半導(dǎo)體公司  MOSFET  MIC4606  

          德州儀器高電壓轉(zhuǎn)換開關(guān)助力常通電智能電表及家庭自動化實現(xiàn)節(jié)能設(shè)計

          •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出支持小于100uA、業(yè)界最低靜態(tài)電流的700V轉(zhuǎn)換開關(guān),其功耗是現(xiàn)有解決方案的一半,這進一步壯大了 TI 面向離線AC/DC設(shè)計的高電壓電源解決方案陣營。該UCC28880控制器高度集成700V 功率 MOSFET和高電壓電流電源,可幫助輸出電流高達100mA的常通電非隔離式電源系統(tǒng)提升整體能源效率,且充分滿足智能電表、家庭自動化設(shè)備以及大型家用電器等應(yīng)用需求。如欲了解更多詳情,敬請訪問:www.ti.com.cn/ucc28880-pr-cn。   TI高電壓電源
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  AC/DC  MOSFET  

          盤點關(guān)于開關(guān)電源設(shè)計的經(jīng)典問答題

          •   如何為開關(guān)電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)?   很多未使用過開關(guān)電源設(shè)計的工程師會對它產(chǎn)生一定的畏懼心理,比如擔心開關(guān)電源的干擾問題、PCB layout問題、元器件的參數(shù)和類型選擇問題等。其實只要了解了,使用開關(guān)電源設(shè)計還是非常方便的。   一個開關(guān)電源一般包含有開關(guān)電源控制器和輸出兩部分,有些控制器會將MOSFET集成到芯片中去,這樣使用就更簡單了,也簡化了PCB設(shè)計,但是設(shè)計的靈活性就減少了一些。   開關(guān)控制器基本上就是一個閉環(huán)的反饋控制系統(tǒng),所以一般都會有一個反饋輸出電壓的采樣電路以及
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  PCB  MOSFET  

          4μA IQ 熱插拔控制器保護電池免受電壓和電流故障損壞

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流 (IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231,該器件允許電路板或電池安全地從 2.7V 至 36V 系統(tǒng)中插入和拔出。LTC4231 控制一個外部 N 溝道 MOSFET,以平緩地給電路板電容器加電,從而避免瞬態(tài)放電、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。器件在正常工作時靜態(tài)電流僅為 4µA,在停機模式則降至 0.3µA。為確保低電流工作,欠壓和過壓阻性分壓器連接至一個選通接地,
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  MOSFET  LTC4231  

          英飛凌基于ARM內(nèi)核的汽車級電機控制集成芯片

          •   摘要:本文介紹了常見的幾種在汽車車身上的電機應(yīng)用,包括直流有刷電機控制,有霍爾/無霍爾直流無刷電機控制和永磁同步電機控制,不論是哪一種電機控制方案,英飛凌公司推出的基于ARM內(nèi)核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。   引言   隨著電機在汽車上的廣泛應(yīng)用,如何降低能耗,減少噪音,成了工程師們面臨的新難題,傳統(tǒng)的電動油泵、電動水泵和散熱風扇由繼電器控制直流電機的開通或者關(guān)斷,不能進行調(diào)速,在怠速狀況時電機仍然高速運轉(zhuǎn),如果采用脈寬調(diào)制控制的直流電機或者三相電機,則可以在不同的工況
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  ARM  電機控制  MOSFET  微控制器  201409  

          SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢

          •   矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。   全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處:矢野經(jīng)濟研究所)   2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負增長,但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。   預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長,2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預(yù)測,2020年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率半導(dǎo)體  

          如何成為一個優(yōu)秀的硬件設(shè)計師

          •   啟動一個硬件開發(fā)項目,原始的推動力會來自于很多方面,比如市場的需要,基于整個系統(tǒng)架構(gòu)的需要,應(yīng)用軟件部門的功能實現(xiàn)需要,提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等,所以作為一個硬件系統(tǒng)的設(shè)計者,要主動的去了解各個方面的需求,并且綜合起來,提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內(nèi)部的一個高層軟件小組,他們在實際當中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求,從而對于系統(tǒng)的配置和使用都會造成很大的不便,所以他們提出了對新硬件的需求。根據(jù)這個目標,硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網(wǎng)絡(luò)處理器,然后還
          • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計  Linear  MOSFET  

          超薄雙管MOSFET

          •   封裝的創(chuàng)新非常重要,尤其是在設(shè)計適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。   計算機、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路,以提升電源效率,但其難點是如何設(shè)計出盡可能小的外形尺寸?,F(xiàn)在,設(shè)計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合,同時實現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。   最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集,同時還可
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  封裝  NexFET  

          SiC對醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇,三菱電機展示高頻功率模塊

          •   三菱電機開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關(guān)動作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊,并在7月23~25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管),從2014年5月開始樣品供貨。   據(jù)介紹,新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備,尤其適合經(jīng)常采用高開關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種,耐壓均為1200V,額定電流為100A~600A不等。通過采
          • 關(guān)鍵字: SiC  醫(yī)療設(shè)備  

          宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

          •   氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。   宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣
          • 關(guān)鍵字: 宜普  EPC  MOSFET  
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