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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析；廠商談IGBT大缺貨

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源2全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2022年全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規(guī)模達(dá)82
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GaN 出擊

自上世紀(jì)五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購(gòu)氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大

EV 車(chē)載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級(jí)別電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)領(lǐng)域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨(dú)特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，其效率高于 IGBT，且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過(guò)，這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對(duì)于 EV 車(chē)主來(lái)說(shuō)，成本、尺寸和
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英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動(dòng)社會(huì)永續(xù)發(fā)展

日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會(huì)。英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過(guò)去一個(gè)財(cái)年所取得的驕人業(yè)績(jī)，同時(shí)探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務(wù)布局。 2022財(cái)年英飛凌全球營(yíng)收達(dá)到142.18億歐元，利潤(rùn)達(dá)到33.78億歐元，利潤(rùn)率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營(yíng)收中的占比高達(dá)37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場(chǎng)的地位，為公司全球業(yè)務(wù)的發(fā)展提供
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Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

中國(guó) 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? （納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無(wú)引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場(chǎng)景，如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá)
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SiC融資火熱！今年以來(lái)超20家獲融資，金額超23億

第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究統(tǒng)計(jì)，隨著安森美、英飛凌等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%?！鱏ource：TrendForce集邦咨詢(xún)今年以來(lái)，SiC領(lǐng)域?qū)沂苜Y本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體、瞻芯電子、派恩杰等領(lǐng)先企業(yè)。天科合達(dá)天科合達(dá)完成了Pre-IPO輪融
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是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？

在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車(chē)（BEV）驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開(kāi)始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達(dá)林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動(dòng)力一直是降低損耗
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碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)

據(jù)報(bào)道，近年來(lái)，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國(guó)KATEK集團(tuán)宣布，其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運(yùn)行，壽命最多可延長(zhǎng)3倍，適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日，美國(guó)制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
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SiC市場(chǎng)產(chǎn)值今年估增4成

根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計(jì)，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動(dòng)2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元、年成長(zhǎng)41.4％。主要成長(zhǎng)原因在于SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應(yīng)用為電動(dòng)車(chē)與再生能源領(lǐng)域，分別在2022年已達(dá)到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值約67.4％和13.1％。車(chē)用方面，安森美與大眾汽車(chē)簽屬戰(zhàn)略協(xié)議，另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
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市場(chǎng)規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購(gòu)的熱門(mén)賽道

以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購(gòu)買(mǎi)博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購(gòu)的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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新能源汽車(chē)時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

前言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學(xué)家，貝采里烏斯合成出來(lái)，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無(wú)奇的樣子，仿佛是隨處可見(jiàn)的灰燼，也許誰(shuí)也沒(méi)能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會(huì)在近200年后，在其之上長(zhǎng)出絢爛的花朵，幫助人類(lèi)突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無(wú)論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡，自然對(duì)于碳化硅（SiC）沒(méi)有過(guò)多的注意。直到20世紀(jì)90年代，Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸，再次激發(fā)
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GaN 時(shí)代來(lái)了？

隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺(tái)積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級(jí)，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機(jī)車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
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碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開(kāi)始普及！

一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺(tái)的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺(tái)Si（硅）早已
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！

當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
關(guān)鍵字：安森美 SiC