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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動技術助力實現(xiàn)“萬物電氣化”
- 綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
- 關鍵字： 碳化硅 SiC 電源管理 可配置數(shù)字柵極驅(qū)動 萬物電氣化
士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個SiC器件芯片投片成功
- 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數(shù)指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝、調(diào)試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
- 關鍵字： 士蘭微 士蘭明鎵 SiC 功率器件
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
- 關鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
使用TI功能安全柵極驅(qū)動器提高SiC牽引逆變器的效率
- 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會影響系統(tǒng)熱性能，進而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車的電機數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
- 關鍵字： TI 功能安全 柵極驅(qū)動器 SiC 逆變器
貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
- 關鍵字： 貿(mào)澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
- 關鍵字： 東芝 SiC MOSFET
UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 由于 SiC 具有更快的開關速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲能變得越來越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長遠的發(fā)展路向。隨著電動車采用率的增加，充電樁將大規(guī)模部署，另外，SiC 最終還將成為電動車主驅(qū)逆變器的首選材料，因為它可減少車輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
- 關鍵字： 202207 安森美 SiC
第三代半導體市場的“互補共生”
- 受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？
- 關鍵字： TI 第三代半導體 GaN SiC
TrendForce：估今年車用SiC功率組件市場破10億
- 為進一步提升電動車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應產(chǎn)品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場主要由歐美IDM大廠掌控，關鍵供貨
- 關鍵字： TrendForce SiC 功率組件
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