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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng),將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)
- Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列,共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品,以及?DIODES DSCxx120系列,共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
- 關(guān)鍵字: Diodes 碳化硅 肖特基勢(shì)壘二極管 SBD
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì),在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究?jī)r(jià)值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展,總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對(duì)高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對(duì)高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導(dǎo)體迎來(lái)爆發(fā)
- 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開(kāi)售,其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車(chē)型中,SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用,這吸引了全球汽車(chē)廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車(chē),可提高續(xù)航里程,對(duì)突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個(gè)新能源汽車(chē)行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料,那么寬禁帶半導(dǎo)體當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何?國(guó)內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別?未來(lái)發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
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安森美與大眾汽車(chē)集團(tuán)就下一代電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅(SiC)技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,進(jìn)一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)宣布與德國(guó)大眾汽車(chē)集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車(chē)集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件,以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車(chē)型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
- 關(guān)鍵字: 安森美 大眾汽車(chē)集團(tuán) 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 SiC
簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用
- 電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實(shí)現(xiàn)更高的效率,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)等電力電子設(shè)備為令人興奮
- 關(guān)鍵字: 國(guó)晶微半導(dǎo)體 SIC
羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動(dòng)汽車(chē)(以下簡(jiǎn)稱“EV”)的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無(wú)碳社會(huì)的努力中,汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速,在這種背景下,開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域,為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車(chē)載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題,業(yè)內(nèi)對(duì)碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
- 關(guān)鍵字: 羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動(dòng)汽車(chē)逆變器
意法半導(dǎo)體第3代SiC碳化硅功率模塊,這品牌用上了?
- 現(xiàn)代-起亞集團(tuán)的 E-GMP 純電平臺(tái)以 800V 高電壓架構(gòu)、高功率充電備受肯定,原先 E-GMP 平臺(tái)在后馬達(dá) Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導(dǎo)體,成本與轉(zhuǎn)換效率比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體更高,更能提升續(xù)航。如今瑞士半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊,并確認(rèn) E-GMP 平臺(tái)的起亞 EV6 等車(chē)款將采用,預(yù)計(jì)在動(dòng)力、續(xù)航都能再升級(jí)。E-GMP 平臺(tái),原先已在后馬達(dá)逆變器采用 Si
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅功率模塊 起亞 EV6 意法半導(dǎo)體 ACEPACK DRIVE
宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估
- 汽車(chē)行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn),車(chē)載充電器(OBC)與DCDC轉(zhuǎn)換器(HV-LV DCDC)的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展,同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣,設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù),以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅(Super Junction Si)技術(shù)以及碳化硅(SiC)技術(shù)來(lái)提供解決方案。在追求性能的同時(shí),對(duì)于車(chē)載產(chǎn)品來(lái)說(shuō),可靠性也是一個(gè)重要的話題。在車(chē)載OBC/DCDC應(yīng)用中,高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來(lái)越多。對(duì)于汽車(chē)級(jí)高壓半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門(mén)極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及,但事實(shí)是無(wú)論
- 關(guān)鍵字: Infineon OBC SiC
通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題
- 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò),隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí),應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。 在過(guò)去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高,如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換
安森美:聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建,推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日,安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jī),其三季度業(yè)績(jī)直線上揚(yáng),總營(yíng)收21.93億美元,同比增長(zhǎng)25.86%;毛利10.58億美元,同比增長(zhǎng)46.82%。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,其三大業(yè)務(wù)中,智能電源組營(yíng)收為11.16億美元,同比增長(zhǎng)25.1%;高級(jí)解決方案組營(yíng)收7.34億美元,同比增長(zhǎng)19.7%;智能感知組營(yíng)收為3.42億美元,同比增長(zhǎng)44.7%,三大業(yè)務(wù)全線保持增長(zhǎng)。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域,從傳統(tǒng)的I
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC MOSFET
EEVIA媒體論壇之英飛凌:賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數(shù)字化發(fā)展
- 在最近召開(kāi)的EEVIA第十屆年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)上,來(lái)自英飛凌安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部的汽車(chē)級(jí)WiFi/BT及安全產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)管理經(jīng)理?xiàng)畲蠓€(wěn)以“英飛凌賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數(shù)字化發(fā)展“為題,詳細(xì)介紹了英飛凌在汽車(chē)電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來(lái)趨勢(shì)。 新能源車(chē)是全球汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域,特別是在中國(guó)這個(gè)全球產(chǎn)銷(xiāo)第一的市場(chǎng),2022年國(guó)有品牌汽車(chē)占據(jù)近一半的中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)份額,最大的驅(qū)動(dòng)力是來(lái)自于新能源車(chē)和電動(dòng)車(chē)。可以預(yù)想,隨著政府和車(chē)廠的支持,電動(dòng)車(chē)未來(lái)幾年會(huì)迎
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC 電動(dòng)汽車(chē) 無(wú)人駕駛
SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”
- 當(dāng)前,全球主要國(guó)家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過(guò)程中,軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能,且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異,但總體實(shí)現(xiàn)時(shí)間將較為接近。在中國(guó),這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)是2030年之前。當(dāng)然,“碳達(dá)峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區(qū)分,比如在工業(yè)領(lǐng)域,一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過(guò)節(jié)能+綠電的方式實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”,另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現(xiàn)能耗降低。對(duì)于軌道交通也是如此,狹義層面的軌交工具,以及廣義
- 關(guān)鍵字: Mouser SiC
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