sic 文章 進(jìn)入sic技術(shù)社區(qū)
羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業(yè)博覽會(huì)”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會(huì)展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業(yè)博覽會(huì)上首次亮相。在為期5天的展會(huì)上，羅姆展出了節(jié)能高效的SiC功率元器件以及“機(jī)器健康檢測(cè)”為主的工業(yè)設(shè)備解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足交流?！ ×_姆展臺(tái)掠影(展位號(hào)：6.1H A245) 近年來，羅姆向工業(yè)市場(chǎng)不斷進(jìn)取，凝聚在消費(fèi)電子設(shè)備和汽車相關(guān)領(lǐng)域培育的技術(shù)，致力于節(jié)能、安全、舒適、小型化的革新性產(chǎn)品的開發(fā)，并通過高品質(zhì)、穩(wěn)定供應(yīng)的安心生產(chǎn)體制，持續(xù)不斷為工業(yè)設(shè)備發(fā)展做貢獻(xiàn)。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC 功率元器件
SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能
- 隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價(jià)比。此外，隨著市場(chǎng)的增長(zhǎng)，由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來越具有吸引力?！ 」β拾雽?dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
- 關(guān)鍵字： X-FAB SiC
安森美半導(dǎo)體推動(dòng)電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)創(chuàng)新發(fā)展
- 電動(dòng)汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動(dòng)力，用電機(jī)驅(qū)動(dòng)車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項(xiàng)要求的車輛由于對(duì)環(huán)境影響相對(duì)傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵(lì)下，在大家對(duì)綠色低碳健康生活的憧憬下，電動(dòng)汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場(chǎng)，中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報(bào)道，2016年中國電動(dòng)汽車占全世界電動(dòng)汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個(gè)，與現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT SiC
如何更加快速地為電動(dòng)汽車充電
- 推出電動(dòng)汽車（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動(dòng)車輛皆可與基于內(nèi)燃機(jī)的車輛媲美。
- 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車 SiC 傳輸電力
羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會(huì)”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會(huì)”，屆時(shí)將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進(jìn)的電源設(shè)計(jì)和應(yīng)用技術(shù)。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費(fèi)報(bào)名通道已開啟! 一年一度的“ROHM技術(shù)研討會(huì)”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動(dòng)足跡遍及全國各地，是羅姆與業(yè)界友人交流互動(dòng)、分享經(jīng)驗(yàn)的良好平臺(tái)。今年，根據(jù)各個(gè)城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC
SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)14億美元
- 市場(chǎng)研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預(yù)測(cè)到2023年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，2016年至2023年間的復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進(jìn)一步提升至40%?！ “▁EV、xEV充電基
- 關(guān)鍵字： SiC PFC
安森美半導(dǎo)體獲UAES頒發(fā)“年度杰出合作供應(yīng)商獎(jiǎng)”
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，宣布獲聯(lián)合汽車電子系統(tǒng)有限公司(United Automotive Electronic Systems，簡(jiǎn)稱UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應(yīng)商獎(jiǎng)”。安森美半導(dǎo)體是UAES最近的供應(yīng)商大會(huì)上3家獲獎(jiǎng)的半導(dǎo)體供應(yīng)商之一。 該獎(jiǎng)?wù)J同安森美半導(dǎo)體寬廣的產(chǎn)品陣容的價(jià)值，這些產(chǎn)品用于UAES領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn)汽車系統(tǒng)方案。安森美半導(dǎo)體能提供大量關(guān)鍵器件用于從動(dòng)力總成到汽車功能電子化、從傳統(tǒng)模塊如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元(ECU)和點(diǎn)火系統(tǒng)到最新的牽引
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長(zhǎng)以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時(shí))的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對(duì)能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。 同時(shí)，我們看到對(duì)更高功率密度和更小空間的要求。電動(dòng)汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會(huì)”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會(huì)”(展位號(hào)：2展館T213)。以“用半導(dǎo)體為汽車的未來做貢獻(xiàn)”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動(dòng)駕駛、人機(jī)交互等相關(guān)領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)品?！ ×_姆展臺(tái)人頭攢動(dòng) 在 “Formula E國際汽聯(lián)電動(dòng)方程式錦標(biāo)賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內(nèi)，重點(diǎn)展示了以下產(chǎn)品和技術(shù)： ? 先進(jìn)的SiC(碳化硅)技術(shù)：助力 “Formula
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC
德州儀器CTO：TI顛覆性技術(shù)將引領(lǐng)我們快速前進(jìn)
- 當(dāng)我坐在電動(dòng)汽車上踩下加速踏板，時(shí)速在3秒之內(nèi)就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個(gè)過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術(shù)將載著我們馳騁在大數(shù)據(jù)公路的快車道上?！ 诚胍幌拢录夹g(shù)將影響著我們未來的工作和生活： · 汽車組裝生產(chǎn)線上將重新配置協(xié)作機(jī)器人，由它們來組裝不同型號(hào)的車輛。這將在降低成本的同時(shí)大大提高生產(chǎn)力，發(fā)揮競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。今天，重置一個(gè)這樣的工廠可能需要幾年的時(shí)間?！ ?機(jī)器視覺技術(shù)將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時(shí)也可清晰視物?！ ?充電器尺寸將縮小到信
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 SiC
應(yīng)用角：云電源
- 云電源是描述用于傳輸、存儲(chǔ)和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語。在電信或傳輸應(yīng)用中，云電源將為基帶單元和遠(yuǎn)程無線電單元供電。用于存儲(chǔ)和處理的服務(wù)器機(jī)群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時(shí)斷電時(shí)用戶仍可訪問云。每臺(tái)服務(wù)器還將需要一個(gè)電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供負(fù)載點(diǎn)電源。 由于物聯(lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點(diǎn)數(shù)(2017年付運(yùn)約20億臺(tái)設(shè)備，比2015年增長(zhǎng)54%)，因此需要大量的存儲(chǔ)器來處理和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。為此，正在構(gòu)建大型服務(wù)器機(jī)群，這些機(jī)群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終
- 關(guān)鍵字： 云電源 SiC
低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度
- 相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體?！ “采腊雽?dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
- 關(guān)鍵字： 肖特基二極，SiC
工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢(shì)且設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、性價(jià)比高的電源解決方案?！ ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關(guān)鍵字： SiC，MOSFET
我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)?！ ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄 iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關(guān)鍵字： SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [ 查看詳細(xì) ]
sic研討會(huì)推薦
sic電路
sic相關(guān)帖子
sic資料下載
sic專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473