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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將開始高速發(fā)展
- SiC功率半導(dǎo)體正進(jìn)入多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域 當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展存在疑慮，它會(huì)有市場(chǎng)嗎?它能夠真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會(huì)有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)是真實(shí)存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將超過5.5億美元，這期間的復(fù)合年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體
SiC使通訊電源PFC設(shè)計(jì)更高效、更簡(jiǎn)單
- 通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫(kù)，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個(gè)通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個(gè)通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個(gè)完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機(jī)房里，如圖1所示?！ ?nbsp; 圖1：通訊電源機(jī)房 目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
- 關(guān)鍵字： SiC PFC
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級(jí)驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！ ∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC-MOSFET
SiC使通訊電源PFC設(shè)計(jì)更高效、更簡(jiǎn)單
- 通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫(kù)，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個(gè)通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個(gè)通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個(gè)完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。 通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機(jī)房里，如圖1所示。 圖1：通訊電源機(jī)房 目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： • 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz • 輸出功率：2kw • 輸出：最大電壓1
- 關(guān)鍵字： 世強(qiáng) SiC
SiC耐壓更高，適合工控和EV
- SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機(jī)器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動(dòng)車(EV)，此外還有工廠車間的搬運(yùn)車等特種車。 相比IGBT，SiC有一些特點(diǎn)，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應(yīng)適應(yīng)高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點(diǎn)。 現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個(gè)芯片并聯(lián)在一起的。如果一個(gè)芯片40A左右，就需要約七八個(gè)芯片并聯(lián)，面積只有單個(gè)芯片那么大。絕緣層是由氧
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高。 東芝是全球第一個(gè)商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門級(jí)注入增強(qiáng)”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊(cè)了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”?！ |芝電子(中國(guó))公司副董事長(zhǎng)野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
- 關(guān)鍵字： IEGT SiC
SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命
- 大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的項(xiàng)目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。 此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級(jí)和亞微米級(jí)的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn)，包
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體
電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向
- 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請(qǐng)部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車 電池 USB Type-C 無線充電 能量收集 數(shù)據(jù)中心 201604
ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會(huì)上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強(qiáng)勢(shì)多元化的產(chǎn)品、多種熱門應(yīng)用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流?！ ?nbsp;
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
“助攻”電源設(shè)計(jì)：900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低！
- 全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，該n溝道增強(qiáng)型功率器件還對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù)，是開關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽(yáng)能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。 世強(qiáng)代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，
- 關(guān)鍵字： 世強(qiáng) SiC
Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)
- DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)未來功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對(duì)于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對(duì)于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會(huì)電子展
- 2016年11月16日-21日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會(huì)電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會(huì)上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領(lǐng)先技術(shù)、強(qiáng)勢(shì)多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場(chǎng)參觀者的廣泛好評(píng)?！ OHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn) 近年來，全世
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
試看新能源汽車的“加油站”如何撬動(dòng)千億級(jí)市場(chǎng)？
- 2015年3月份，一份由國(guó)家能源局制定的草案引爆了整個(gè)新能源汽車圈，沒錯(cuò)，這份眾人期盼已久的草案就是《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》。該草案的完成對(duì)于汽車充電設(shè)施制造商帶來說堪稱一場(chǎng)“及時(shí)雨”。草案提到2020年國(guó)內(nèi)充換電站數(shù)量要達(dá)到1.2萬個(gè)，充電樁達(dá)到450萬個(gè)，這意味著一個(gè)千億級(jí)市場(chǎng)將在國(guó)內(nèi)的充電行業(yè)產(chǎn)生。 充電樁通常被譽(yù)為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級(jí)為各種型號(hào)的電動(dòng)汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
- 關(guān)鍵字： Cree SiC
性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。 SiC與Si性能對(duì)比 簡(jiǎn)單來說，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
- 當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(zhǎng)至1.1億美元 由碳化硅電力設(shè)備市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，n型碳化硅基
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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