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納微半導(dǎo)體將在中國臺(tái)灣的電源設(shè)計(jì)技術(shù)論壇活動(dòng)上
- 納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場應(yīng)用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺(tái)北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計(jì)與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計(jì)”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項(xiàng)活動(dòng)的銀級(jí)贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識(shí)?！ ↑S萬年
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ROHM贊助上海同濟(jì)大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車隊(duì)
- 近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環(huán)保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發(fā)和引進(jìn)計(jì)劃，未來新能源汽車的普及將會(huì)進(jìn)一步加速。其中，中國新能源汽車市場發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術(shù)的快速發(fā)展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場?！ ∽鳛槿蛑雽?dǎo)體制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標(biāo)領(lǐng)域，通過開發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創(chuàng)新型高
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電動(dòng)汽車打開應(yīng)用窗口：SiC產(chǎn)品要來了！
- 隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車市場的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來快速增長期。
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我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破
- 近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。 通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
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在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
- 摘要 本文評(píng)測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大?！ ∏把浴 ∈袌鰧﹂_關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！ 拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始
- 接近62%的能源被白白浪費(fèi) 美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
- 近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn)，在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時(shí)，通過更高頻率的開關(guān)動(dòng)作，還可實(shí)現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
- SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
- 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)
- 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
- 關(guān)鍵字： SiC 集成技術(shù) 生物電信號(hào) 采集方案
基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案
- 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
- 關(guān)鍵字： EEG SiC 生物電信號(hào)采集 IMEC
第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
- 關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料
ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化
- <概要> 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?！ ”井a(chǎn)品通過ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí))，這非常有助于應(yīng)
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汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
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汽車功率元器件市場前景廣闊
- 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?！ ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使用200毫米(和
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sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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