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業(yè)界首款全SiC功率模塊問(wèn)世：開(kāi)關(guān)效率提升10倍
- 集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強(qiáng)已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。 圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖 世強(qiáng)代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字： CREE SiC
性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。 SiC與Si性能對(duì)比 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： 世強(qiáng) SiC
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
- SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴(kuò)大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時(shí)仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問(wèn)題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺(tái)為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
- 關(guān)鍵字： Cree SiC
SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)
- 日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開(kāi)關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。 世強(qiáng)代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面，連續(xù)通電時(shí)
- 關(guān)鍵字： SiC SiC
EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
矢野經(jīng)濟(jì)研究所：SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng)
- 矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。 ? 全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) (點(diǎn)擊放大) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。 預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體
ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財(cái)務(wù)報(bào)告
- ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長(zhǎng) 澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績(jī)。 第一季度銷售額為949億2千萬(wàn)日元(去年同比增長(zhǎng)7.4%)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為115億6千7百萬(wàn)日元(去年同比增長(zhǎng)24.7%)。 縱觀電子行業(yè)，在IT相關(guān)市場(chǎng)方面，雖然智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等市場(chǎng)的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來(lái)都保持持續(xù)增長(zhǎng)的平板電腦的普及率的上升勢(shì)頭大幅下降，個(gè)人電腦市場(chǎng)呈現(xiàn)低迷態(tài)勢(shì)。在AV相關(guān)市場(chǎng)方面，雖然4K電視(※1)等高附加
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
專利設(shè)計(jì)發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機(jī)制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。 羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長(zhǎng)伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開(kāi)始量產(chǎn)。 羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)支援部課長(zhǎng)蘇建榮表示，相對(duì)于Si-IGBT，SiC
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量
- 目前，電動(dòng)汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮琛⒏咚匍_(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開(kāi)發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
一款專為SiC Mosfet設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開(kāi)關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽(yáng)能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長(zhǎng)新能源汽車的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備帶來(lái)高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢(shì)。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計(jì)，SiC Mosfet現(xiàn)有市場(chǎng)容量為9000萬(wàn)美元，估計(jì)在2013-2020年SiC Mosfet市場(chǎng)將每年增長(zhǎng)39%。由此可預(yù)見(jiàn)，SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對(duì)比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢(shì)： i. 低導(dǎo)通電阻RDS
- 關(guān)鍵字： SiC Mosfet DC-DC
世界首家！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開(kāi)發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。 另外，此次開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
ROHM（羅姆）舉辦“2015 ROHM科技展” 將于全國(guó)5個(gè)城市巡回展出
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于今年夏季將分別在成都(06/12)、長(zhǎng)沙(06/26)、蘇州(07/10)、青島(07/ 24)、哈爾濱(08/07)等5個(gè)城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活動(dòng)。在展示ROHM最新產(chǎn)品和技術(shù)的同時(shí)，還包括了由半導(dǎo)體業(yè)界專家和ROHM工程師帶來(lái)的主題演講，獲得了眾多工程師的盛情參與。 “2015 ROHM科技展”以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題，從應(yīng)用層面出發(fā)，介紹功率電子、傳感器網(wǎng)絡(luò)
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)
- 摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。 近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上，ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析，并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開(kāi)發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起
- 第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。 目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
- 關(guān)鍵字： LED SiC MOSFET
ROHM：國(guó)際半導(dǎo)體巨頭的“小”追求和“低”要求
- 近年來(lái)，隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，智能手機(jī)、平板電腦等智能終端功能越來(lái)越多樣化。加上可穿戴設(shè)備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設(shè)備的微型化，設(shè)備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導(dǎo)體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時(shí)，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對(duì)電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個(gè)領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過(guò)去幾年的發(fā)展方向，也是將來(lái)的趨勢(shì)。 談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
- 關(guān)鍵字： ROHM 半導(dǎo)體 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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