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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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矢野經(jīng)濟研究所：SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。 ? 全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) (點擊放大) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長，但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。 預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究
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ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務(wù)報告
- ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長 澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。 第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。 縱觀電子行業(yè)，在IT相關(guān)市場方面，雖然智能手機和可穿戴設(shè)備等市場的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個人電腦市場呈現(xiàn)低迷態(tài)勢。在AV相關(guān)市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
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專利設(shè)計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。 羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。 羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因為使用了以低電阻、高速開關(guān)為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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一款專為SiC Mosfet設(shè)計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機、工業(yè)設(shè)備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預(yù)見，SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： i. 低導(dǎo)通電阻RDS
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世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。 另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
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SiC功率器件的技術(shù)市場走勢
- 摘要：探討了SiC的技術(shù)特點及其市場與應(yīng)用。 近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會。此次交流學(xué)習(xí)會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
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LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起
- 第一代半導(dǎo)體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。 目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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ROHM：國際半導(dǎo)體巨頭的“小”追求和“低”要求
- 近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設(shè)備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設(shè)備的微型化，設(shè)備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導(dǎo)體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。 談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。 全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長，但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。 預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預(yù)測，2020年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)
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SiC對醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇，三菱電機展示高頻功率模塊
- 三菱電機開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關(guān)動作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。 據(jù)介紹，新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備，尤其適合經(jīng)常采用高開關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
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東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。 SBD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！ iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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美國阿肯色大學(xué)設(shè)計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路
- 美國阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因為所有這些應(yīng)用場合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。 阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標(biāo)準(zhǔn)硅基電路部件無法工作的地方。我們設(shè)計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
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sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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