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          功率半導(dǎo)體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

          •   與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認(rèn)為功率半導(dǎo)體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認(rèn)為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長期低估,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  

          電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

          •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

          •   2017年3月14日(周二)~16日(周四),全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號:4100),向與會觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來到現(xiàn)場還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹,期待您的到來?! OHM展位信息  "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導(dǎo)體制造商,&
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

          新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

          •   日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場中的滲透較慢,主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

          •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析

          • 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下,第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料,然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大,特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺,第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力,于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
          • 關(guān)鍵字: 寬禁帶半導(dǎo)體  SiC  

          無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

          •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域,商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵,則將緩步進(jìn)軍中功率市場。   可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備,為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過矽元件。   臺達(dá)電技術(shù)長暨總
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          11月8日:ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

          •   ROHM新聞發(fā)布會上,首先宣布最新的第三代SiC技術(shù),包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊,提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉,相比平面(planar)柵型SiC MOSFET,新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%,在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?! OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高,用于車前燈。還有LED矩陣控制器,使電路配置更容易、
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          世界各國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

          • 技術(shù)創(chuàng)新是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動力,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視,從國際競爭角度看,美、日、歐等發(fā)達(dá)國家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃,并展開全面戰(zhàn)略部署,欲搶占戰(zhàn)略制高點。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  SiC  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

          • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
          • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

          GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

          •   眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運算力不斷增強,使運算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過,姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率技術(shù),開發(fā)出獨具特色的便攜式電動汽車充電器

          •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的享譽業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件,讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。   作為市場首款內(nèi)置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器,ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能,讓Zaptec工程師得以設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  SiC  
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          sic介紹

          SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類:一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目;另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu),其中典型的有6H、4H、15R等,統(tǒng)稱為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境,并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細(xì) ]

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