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超過(guò)20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓
- 日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過(guò)20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。 該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱(chēng)目前是使用3～4個(gè)數(shù)kV的GTO來(lái)確保耐壓的。如果使用耐壓超過(guò)20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿(mǎn)足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： SIC 二極管 半導(dǎo)體
采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集
- 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
- 關(guān)鍵字： IMEC SiC 生物電信號(hào)采集
用SiC撬動(dòng)新能源、汽車(chē)電子新興市場(chǎng)
- 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來(lái)，并積極投身其中，在08年收購(gòu)生產(chǎn)SiC晶圓的德國(guó)SiCrystal公司之后，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
- 關(guān)鍵字： 羅姆 太陽(yáng)能 SiC
瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件
- 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 功率器件 SiC
羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
- 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOS
羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊
- 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē))和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類(lèi)型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類(lèi)是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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