大聯大世平推出基于onsemi產品的電動汽車充電樁方案
2023年8月1日,致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NTBG022N120M3S和NCD57084產品的電動汽車(EV)充電樁方案。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202308/449156.htm圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的電動汽車(EV)充電樁方案的實體圖
隨著電動汽車在全球的滲透率逐漸提升,充電樁的需求也大幅激增。然而由于EV充電樁的用電量動輒高達數百KW,因此要格外注意用電的品質及效率,否則勢必會造成電力供應問題。在這種情勢下,大聯大世平基于安森美(onsemi)NTBG022N120M3S SiC MOSFET和NCD57084隔離驅動IC推出電動汽車(EV)充電樁方案,可適用于600V~900VDC(Max)及6KW輸出的EV充電樁產品。
圖示2-大聯大世平基于onsemi產品的電動汽車(EV)充電樁方案的場景應用圖
NTBG022N120M3S是onsemi旗下1200V SiC MOSFET,其針對快速開關應用進行優化,Rds_on(Max)為30mohm@18V(Vgs),柵極電荷Qg(tot)為151nC、容抗Coss為146 pF,該器件適合應用在高電壓、大電流及高速切換的操作條件,Vgs(閘源極)最大電壓范圍為-10V-至+22V,憑借這些特性,使得該產品能夠在開關操作中具有低功耗、高效率和高溫穩定性。
NCD57084是一款高電流單通道IGBT柵極驅動器,具有2.5kVrms內部電流隔離,專為高功率應用而設計,具有高系統效率和可靠性。該驅動器采用SOIC-8封裝,具有軟關斷和故障報告檢測功能。此外,該產品還具有低輸出阻抗,可用于增強型IGBT驅動,提供3.3V至20V寬輸入偏置電壓范圍和信號電平,以及高達30V的寬輸出偏置電壓范圍,支持+7A/-7A高峰值輸出電流。不僅如此,該器件傳播延遲時間短,可以做到精準匹配,并且UVLO閾值小,能夠實現偏置靈活性。
除此之外,方案中還配備高效率輔助電源及DC-DC轉換器,可進一步提升EV充電樁的充電效率及可靠性。
圖示3-大聯大世平基于onsemi產品的電動汽車(EV)充電樁方案的方塊圖
在汽車電動化的熱潮下,EV充電樁也將迎來黃金發展時期,對此大聯大世平將結合自身豐富的技術經驗與onsemi共同加深方案整合能力,為電動汽車發展賦能。
核心技術優勢:
? NTBG022N120M3S(1200V,SiC MOSFET)onsemi第三代半導體碳化硅MOSFET:
? 1200V SiC MOSFET;
? Rds_on(Max)=30mohm@18V(Vgs);
? Gate Charge Qg(tot)=151nC;
? 容抗Coss=146pF,適合應用在高電壓,大電流及高速切換等操作條件;
? Vgs(閘源極)最大電壓范圍為-10V至+22V;
? 建議Vgs sop操作電壓-3V至+18V。
? NCD57084 onsemi IGBT隔離驅動IC:
? 具有可程式設計延遲的DESAT保護;
? 負電壓(低至-9V)能力,適用于DESAT;
? 短路期間的IGBT柵極箝位;
? IGBT柵極有源下拉;
? IGBT短路期間軟關斷;
? 嚴格的UVLO準位,實現偏差Bias靈活性;
? UVLO/DESAT期間的輸出部分脈沖回避(重新啟動);
? 3.3V、5V和15V邏輯電壓準位輸入;
? 2.5kVrms電壓;
? 高瞬態抗擾度;
? 高電磁抗擾度。
? 高效率輔助電源及DC-DC轉換器:
? 在此開發板中,一次側驅動電路是由外部電源提供,規格為12V/1A,二次側由NCV3064 IC組成高效率輔助電源,提供+12V至+18V,-3.5VDC電壓供驅動電路使用。
方案規格:
? 輸入電壓:600V to 800VDC(最大可允許900VDC);
? 輸出功率:6kW;
? 輸出電壓:600V;
? 輸出電流:10A;
? 操作頻率:50kHz。
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