FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR™全濕法無灰化清洗技術的ZETA®清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了減少缺陷外，用戶們還受益于通過一步工藝縮短了總的工廠生產流轉周期。

　　“NAND 技術持續引領器件尺寸縮化的步伐”FSI總裁兼首席執行官Don Mitchell說道。“ZETA ViPR 擴展到NAND制造，驗證了先進工藝中的全濕法去除的關鍵增值點——其價值只會隨著器件尺寸的不斷縮小而增加。我們為客戶提供的這一種真正的差異化工藝是卓有成效的，它能夠實現縮短生產周期、減少資本支出以及降低運作成本。

　　對ZETA ViPR技術不斷提高的認可度，源自其在大多數光刻膠去除工序中免去灰化工藝和自對準金屬硅化物工藝之后能有效去除殘留金屬的能力。對于光刻膠的去除, 除了最極端注入情況以外，ZETA ViPR工藝實現的獨有化學反應都可以單獨通過濕法化學反應完成光刻膠去除。ViPR技術的應用不僅省去了灰化所需時間和成本，還免除了由灰化爐造成的損傷和摻雜劑/底材損耗。對于自對準金屬硅化物工藝之后的金屬去除，ZETA ViPR工藝可有效去除未反應的金屬，同時不損壞自對準金屬硅化物。特別是通過與非常先進的NiPt自對準金屬硅化物工藝成功結合，可采用更低退火溫度來減少接面漏電，從而提高了工藝的良品率。