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          三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn),稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

          • IT之家 3 月 14 日消息,據(jù)韓媒 NEWSIS 報道,三星電子否認了近日路透社的說法,表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成,目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通過回流焊一次性粘合,然后同時用模塑料填充間隙;而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜,是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜(NCF)的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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          2023Q4 全球晶圓代工營收 TOP10:臺積電獨占 61.2%,三星 11.3% 居第二

          • IT之家 3 月 12 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報告,表示 2023 年第 4 季度全球前十大晶圓代工廠營收 304.9 億美元(IT之家備注:當前約 2189.18 億元人民幣),環(huán)比增長 7.9%。報告稱拉動 2023 年第 4 季度晶圓代工廠營收的主要是中低端智能手機應用芯片以及周邊電源管理集成電路(PMIC),蘋果 iPhone 所用的 A17 芯片,以及 OLED DDI、CIS、PMIC 等周邊 IC。TrendForce 集邦咨詢表示,2023 年受供應鏈庫存高
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          傳三星擴大采用索尼圖像傳感器,臺積電熊本廠或受益

          • 影像傳感器是手機最重要零件之一,SONY是全球第一大影像傳感器制造商,三星System LSI部門也生產(chǎn)ISOCELL品牌影像傳感器,與SONY競爭居全球第二。三星自家Galaxy手機多用自家System LSI研發(fā)的圖像傳感器,但未來可能生變。韓國媒體ETNews報導,三星手機可能使用更多SONY圖像傳感器,SONY半導體解決方案公司也計劃將部分相機傳感器生產(chǎn)線從日本轉(zhuǎn)到韓國,就是為了擴大加強供貨三星圖像傳感器。SONY已與韓國后段代工合作伙伴商討封裝和測試工序,包括LB Semicon、NGion、A
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          消息稱三星曾考慮使用天璣 9000 處理器,因供應量不足放棄

          • IT之家 3 月 11 日消息,博主 Revegnus 近日否認了三星旗艦手機未來將使用聯(lián)發(fā)科旗艦處理器的傳聞,但稱三星曾考慮在 S 系列手機上使用天璣 9000 處理器,但因供應不足而放棄。該博主稱當年聯(lián)發(fā)科曾考慮向三星供應 1000 萬顆天璣 9000,而這一供應量遠低于三星 Galaxy S 系列所需的 3000-3500 萬顆,協(xié)議最終沒有達成。此外,該博主曾于 2 月發(fā)文稱,傳言聯(lián)發(fā)科向三星提供了特殊價格,三星的入門手機系列將擴大聯(lián)發(fā)科處理器的使用范圍。Revegnus 強調(diào)聯(lián)發(fā)科與三
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          美光攜手三星打造Galaxy S24系列,開啟移動AI體驗時代

          • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分設備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存存儲,為全球手機用戶帶來強大的人工智能(AI)體驗。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持,能夠?qū)崿F(xiàn)無障礙通信并且最大限度地實現(xiàn)創(chuàng)作自由,從而進一步提升用戶體驗。隨著數(shù)據(jù)密集型和功耗密集型應用不斷推動智能手機的硬件性能達到極致,美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0
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          全球HBM戰(zhàn)局打響!

          • AI服務器浪潮席卷全球,帶動AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起,成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業(yè)界認為,HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期,HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時,HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM:三分天下HBM(全稱為High Bandwidth Memory),是高帶寬存儲器,是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講,HB
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          三星全新microSD,憑借高性能和大容量助力移動計算和端側(cè)AI

          • 三星電子今日宣布,已開始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲卡樣品,該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s,此外,1TB[3] UHS-1 microSD存儲卡現(xiàn)已進入量產(chǎn)階段。隨著新一代microSD存儲卡產(chǎn)品的推出,三星將著力打造差異化存儲解決方案,更好滿足未來移動計算和端側(cè)人工智能應用的需求。"來自移動計算和端側(cè)人工智能應用的需求與日俱增,三星推出的這兩款全新micro SD卡為應對這一問題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲事業(yè)
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          消息稱三星背面供電芯片測試結(jié)果良好,有望提前導入

          • IT之家 2 月 28 日消息,據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道,三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(BSPDN)芯片測試中獲得了好于預期的成果,有望提前導入未來制程節(jié)點。傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式,先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮,傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂,對設計與制造形成干擾。BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡轉(zhuǎn)移至晶圓背面,可簡化供電路徑,解決互連瓶頸,減少供電對信號的干擾,最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言,還特別有助于移動端 SoC 的小型化?!?n
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          三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,滿足人工智能時代的更高要求

          • 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。                                                      &n
          • 關(guān)鍵字: 三星  HBM3E  DRAM  人工智能  

          AI-RAN聯(lián)盟成立,推動5G/6G網(wǎng)絡人工智能進化

          • 據(jù)三星官網(wǎng)消息,2月26日,AI-RAN 聯(lián)盟在巴塞羅那 MWC2024 世界通信大會上正式成立,旨在通過與相關(guān)公司合作,將人工智能(AI)技術(shù)融入蜂窩移動網(wǎng)絡的發(fā)展,推動5G及即將到來的6G通信網(wǎng)絡進步,以改善移動網(wǎng)絡效率、降低功耗和改造現(xiàn)有基礎設施。據(jù)悉,該組織共有11個初始成員,其中包括:三星、ARM、愛立信、微軟、諾基亞、英偉達、軟銀等行業(yè)巨頭。聯(lián)盟將合作開發(fā)創(chuàng)新的新技術(shù),以及將這些技術(shù)應用到商業(yè)產(chǎn)品中,為即將到來的 6G 時代做好準備。據(jù)了解,AI-RAN 聯(lián)盟將重點關(guān)注三大研究和創(chuàng)新領(lǐng)域:AI
          • 關(guān)鍵字: AI-RAN  MWC2024  三星  ARM  愛立信  微軟  英偉達  

          半導體工業(yè)的關(guān)鍵——晶圓專題

          • 半導體已經(jīng)與我們的生活融為一體,我們?nèi)粘I畹脑S多方面,包括手機、筆記本電腦、汽車、電視等,都離不開半導體。而制造半導體所需的多任務流程被分為幾個基本工藝,這些工藝的第一步就是晶圓制造。晶圓可以說是半導體的基礎,因為半導體集成電路包含許多處理各種功能的電氣元件。而集成電路是通過在晶圓的基板上創(chuàng)建許多相同的電路來制造的。晶圓是從硅棒上切成薄片的圓盤,由硅或砷化鎵等元素制成。大多數(shù)晶圓是由從沙子中提取的硅制成。美國的硅谷始于半導體產(chǎn)業(yè),最終成為全球軟件產(chǎn)業(yè)的中心。據(jù)報道,它的名字是半導體原材料“硅”和圣克拉拉
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          三星啟動新的半導體部門,旨在開發(fā)下一代AGI芯片

          • 據(jù)報道,三星已在硅谷成立了一個新的半導體研發(fā)組織,旨在開發(fā)下一代AGI芯片。三星不打算就此止步,因為他們決定抓住潛在的“黃金礦藏”與AGI半導體部門一擁而上,比其他公司更早 三星電子,特別是其鑄造部門,在擴大半導體能力方面正在迅速進展,公司宣布新的下一代工藝以及最終的客戶。然而,在人工智能時代,與像臺積電這樣的競爭對手相比,三星在AI方面沒有取得顯著進展,因為該公司未能引起像NVIDIA這樣的公司對半導體的關(guān)注,但看起來這家韓國巨頭計劃走在前面,隨著世界轉(zhuǎn)向AGI主導的技術(shù)領(lǐng)域。相關(guān)故事報告顯示去年銷售
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          三星調(diào)整芯片工廠建設計劃,應對市場需求變化

          • IT之家 2 月 20 日消息,三星半導體業(yè)務雖然面臨著持續(xù)的挑戰(zhàn),但該公司仍對今年下半年的市場前景持樂觀態(tài)度。為了提高效率并更好地響應市場需求,三星正在對其芯片工廠進行一些調(diào)整。具體而言,三星正在調(diào)整位于韓國平澤的 P4 工廠的建設進度,以便優(yōu)先建造 PH2 無塵室。此前,三星曾宣布暫停建設 P5 工廠的新生產(chǎn)線。三星正在根據(jù)市場動態(tài)調(diào)整其建設計劃。平澤是三星主要的半導體制造中心之一,是三星代工業(yè)務的集中地,也是該公司生產(chǎn)存儲芯片的地方。目前,P1、P2 和 P3 工廠已經(jīng)投入運營,P4 和
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          三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

          • 最新報道,三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題,原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷,導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題,未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃,還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是,Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu),升級之處在于將采用全新的
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          測試發(fā)現(xiàn)三星Galaxy S24 Ultra鈦合金用料不及iPhone 15 Pro Max

          • ?2 月 6 日消息,和 iPhone 15 Pro Max 一樣,三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架,以提升手機的耐用性和輕量化程度。然而,兩款手機的鈦合金含量和品質(zhì)卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過火燒測試,揭示了其中的奧秘。此前,JerryRigEverything 已經(jīng)對 iPhone 15 Pro Max 進行了同樣的測試,發(fā)現(xiàn)其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無損。這并不令人意外,因為測試所用的熔爐溫度不足以熔
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          三星介紹

           韓國三星電子成立于1969年,正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元,躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年,三星品牌價值108.5億美元,世界排名25位,被商務周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]

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