安森美 文章 進入安森美技術(shù)社區(qū)
安森美領(lǐng)先的成像技術(shù)助力視覺產(chǎn)品的不斷創(chuàng)新
- 在機器視覺普及的時代，圖像傳感器作為其“眼睛”有著越來越多的各樣的應用。安森美(onsemi)的圖像傳感技術(shù)通過不斷地技術(shù)創(chuàng)新，力求滿足越來越廣泛的市場領(lǐng)域需要。如今，越來越多的家庭和企業(yè)安裝攝像頭做監(jiān)控，據(jù)Yole統(tǒng)計，預計到2030年底，此市場將增長兩倍。因此，消費者需要有更優(yōu)秀的圖像質(zhì)量、更可靠和更長電池壽命的設(shè)備，來提升整體使用體驗。由于這些相機通常會被放置在難以更換電池或充電的位置，因此低功耗成為一個關(guān)鍵需求。對此，安森美推出了一些低功耗的高質(zhì)量圖像傳感技術(shù)，場景覆蓋智能門禁、安防攝像頭、增強現(xiàn)
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汽車芯片市場要下跌？
- 10 月 31 日，車用芯片大廠安森美半導體（Onsemi）宣布裁員近 900 人，這一消息在業(yè)界引起了波瀾。在全球市場一片低迷的大環(huán)境下，汽車及相關(guān)芯片市場還算是不錯的，安森美的大規(guī)模裁員來的有些突然。據(jù)悉，安森美今年已經(jīng)解雇了 1360 名員工，預計營收為 19.5 億-20.5 億美元，低于預期的 21.8 億美元，預計第四季度業(yè)績也是不溫不火。安森美首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 說：「我們開始看到一些疲軟的情況，歐洲一級客戶正在處理庫存，并且由于高利率，汽車需求的風險不斷增加。」
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如何優(yōu)化SiC柵級驅(qū)動電路？
- 對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系列文章的第二部分SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能。分立式 SiC 柵極驅(qū)動為了補償?shù)驮鲆娌崿F(xiàn)高效、高
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安森美可再生能源與電動汽車應用技術(shù)大會開啟在即
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)?將于11月14日、16日及21日分別于深圳、蘇州、上海舉行“安森美可再生能源與電動汽車應用技術(shù)大會”。以“創(chuàng)領(lǐng)綠色基建與智慧出行‘芯’時代”為主題，本輪大會將圍繞電動汽車電氣化、智能化、光儲充一體化系統(tǒng)構(gòu)建等話題，由安森美專家團隊與產(chǎn)業(yè)資深人士領(lǐng)銜，與廣大工程師探討其面臨的相關(guān)技術(shù)應用難題并為其提供解決方案。在“雙碳”目標與當前市場及能源法規(guī)的驅(qū)動下，中國新能源產(chǎn)業(yè)持續(xù)擴張。持續(xù)上漲的電動汽車市場，推動著光儲充一體化發(fā)展再提速。5G通信、人工
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安森美2023財年第三季度業(yè)績超預期
- 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)公布其2023財年第3季度業(yè)績，亮點如下：■ 第3季度收入為 21.808 億美元；公認會計原則(以下簡稱“GAAP”) 和 非GAAP 毛利率為 47.3%■ GAAP 營業(yè)利潤率和 非GAAP 營業(yè)利潤率分別為 31.5%和32.6%■ GAAP 每股攤薄收益為 1.29 美元，非GAAP 每股攤薄收益為 1.39 美元■ 汽車業(yè)務收入創(chuàng)紀錄，達 12 億美元，同比增長 33%■ 工業(yè)業(yè)務收入創(chuàng)紀錄，達 6.16 億美元，同比略有增長安森美總裁兼首席執(zhí)
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滿足市場對下一代碳化硅器件的需求
- 一些新出現(xiàn)的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性，但同時也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如，雖然太陽能可以提供無限的能源，但要想成功商業(yè)化，設(shè)計人員必須提供更高的功率和效率，同時不增加成本或尺寸。在汽車領(lǐng)域，目前電動汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時間和續(xù)航里程有限等問題，電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動力總成的尺寸和重量，包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
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安森美攜手瑞薩打造領(lǐng)先的系統(tǒng)性能，增強半自動駕駛的安全性
- 安森美 (onsemi) 宣布其Hyperlux? 圖像傳感器系列已集成到瑞薩 (Renesas) R-Car V4x 平臺，用于增強半自動駕駛的視覺系統(tǒng)，進而提高汽車的安全性。兩家公司以安全系統(tǒng)和先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 為戰(zhàn)略重點，為汽車主機廠 (OEM) 和一級供應商提供領(lǐng)先的傳感器性能和先進的片上系統(tǒng) (SoC)。Hyperlux 圖像傳感器擁有 2.1 μm 像素尺寸、業(yè)界領(lǐng)先的 150dB 超高動態(tài)范圍 (HDR) 和減少 LED 閃爍 (LFM) 功能，耐受汽車應用高溫，具備
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安森美韓國碳化硅工廠擴建完工 年產(chǎn)能將超百萬片
- 安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，目標明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導體產(chǎn)量預計將增至每年100萬顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來三年內(nèi)雇傭多達1000名當?shù)貑T工來填補大部分高
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安森美攜手瑞薩打造領(lǐng)先的系統(tǒng)性能,增強半自動駕駛的安全性
- 安森美(onsemi)近日宣布其Hyperlux? 圖像傳感器系列已集成到瑞薩（Renesas） R-Car V4x 平臺，用于增強半自動駕駛的視覺系統(tǒng)，進而提高汽車的安全性。兩家公司以安全系統(tǒng)和先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 為戰(zhàn)略重點，為汽車主機廠（OEM）和一級供應商提供領(lǐng)先的傳感器性能和先進的片上系統(tǒng) (SoC)。Hyperlux 圖像傳感器擁有 2.1 μm 像素尺寸、業(yè)界領(lǐng)先的150dB 超高動態(tài)范圍 (HDR) 和 減少LED 閃爍(LFM) 功能，耐受汽車應用高溫，具備汽車應用所需的關(guān)鍵要
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安森美韓國富川碳化硅工廠擴建正式落成
- 10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應用
- 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅(qū)逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
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圖騰柱無橋PFC與SiC相結(jié)合，共同提高電源密度和效率
- 效率和尺寸是電源設(shè)計的兩個主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響，需要使用 PFC。但要設(shè)計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓撲結(jié)構(gòu)來更好地實現(xiàn)這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結(jié)構(gòu)還有一種提高
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時、何地以及如何使用它們
- 如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發(fā)揮所長，然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。焊接機許多現(xiàn)代化焊接機使用逆變器，而非焊接變壓器，因為直流輸出電流可以提高焊接工藝的控制精度。更多優(yōu)勢還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機框圖焊接逆變器常用的開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術(shù)供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務 [ 查看詳細 ]
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