封裝文章進入封裝技術(shù)社區(qū)

采用 2mm x 2mm DFN 封裝的 900mA 全集成鋰離子電池線性充電器不會過熱

凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4059 微型單節(jié)鋰離子電池線性充電器，它無需使用 3 個分立功率組件，在不使系統(tǒng)溫度過高的情況下提高充電速度，并檢測和報告充電電流值。此外，該產(chǎn)品采用最小的封裝，但卻沒有影響熱性能。整個解決方案僅需要兩個分立組件（輸入電容器與充電電流設(shè)置電阻器），而且只占用 2.5mm x 2.7mm 面積。LTC4059 的 2mm x 2mm DFN 封裝占位面積比 SOT-23 封裝的一半還小，提供 600C/W 的更低熱阻以改善散熱功能。通過正確的 PC
關(guān)鍵字：凌特公司封裝

具軟啟動功能、采用 ThinSOT 封裝的高壓 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌特公司（Linear Technology）推出一個 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3467，它兼有 42V、1.1A 內(nèi)部開關(guān)和軟啟動功能。LT3467 采用恒定頻率電流模式架構(gòu)，在 2.4V 到 16V 輸入電壓范圍內(nèi)工作，從而使它成為單節(jié)鋰離子電池、5V 或 12V 應(yīng)用的理想選擇。它內(nèi)部的 42V 開關(guān)非常適合輸出高達 40V 的升壓型轉(zhuǎn)換器以及 SEPIC 和返激式設(shè)計。通過一個集成的可編程軟啟動功能消除了大浪涌電流，而 1.3MHz 的恒定開關(guān)頻率實現(xiàn)了低噪聲工作。Thin
關(guān)鍵字：凌特公司封裝

飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設(shè)備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢，這些設(shè)備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及數(shù)碼相機等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP（倒裝引腳鑄模封裝）中結(jié)合了飛兆半導(dǎo)體的高性能 PowerTrench
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體公司封裝

安森美半導(dǎo)體為高速、硅鍺數(shù)據(jù)和時鐘管理系列推出更小型耐用的QFN封裝

安森美半導(dǎo)體（美國納斯達克上市代號：ONNN）宣布，其硅鍺（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成電路現(xiàn)在均可提供16引腳無引線四方扁平（QFN）封裝，進一步拓展了該公司在高速數(shù)據(jù)與時鐘管理元件市場的地位。這種封裝與其他工業(yè)等級溫度范圍內(nèi)的封裝相比，節(jié)省電路板空間，同時大幅提高了熱性能。采用QFN封裝的Gigacomm™器件目前額定溫度范圍為-40° C to +85° C，尺寸為3 mm x 3 mm，比倒裝球柵陣列（FCBGA）封裝減少44%。QFN封裝采用QFN封裝的G
關(guān)鍵字：安森美封裝

安森美半導(dǎo)體新推SOT553和SOT563微型封裝集成瞬態(tài)電壓保護器件系列

安森美半導(dǎo)體（美國納斯達克上市代號：ONNN）致力于不斷推出高性能、節(jié)省空間的器件，新推出的五款保護器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563單封裝內(nèi)集成了多個瞬變電壓抑制（TVS）元件。這些SOT5xx封裝TVS器件不僅符合靜電放電（ESD）保護的嚴(yán)格要求，更較傳統(tǒng)的SC88封裝減少電路板空間達36%，降低厚度40%。它們可理想應(yīng)用于重視電路板空間的便攜設(shè)備，例如手機、數(shù)字照相機、MP3播放器、掌上游戲機以及PDA。安森美半導(dǎo)體副總裁兼集成電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ramesh Ramc
關(guān)鍵字：安森美封裝

安森美半導(dǎo)體為TVS元件和肖特基二極管系列推出低厚度SOD-123FL封裝

安森美半導(dǎo)體（美國納斯達克上市代號：ONNN）不斷提升產(chǎn)品性能，在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制（TVS）元件與肖特基二極管]現(xiàn)已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后，將有更多新型封裝的器件面世。安森美半導(dǎo)體副總裁兼標(biāo)準(zhǔn)元件部總經(jīng)理Charlotte Diener說：“由于SOD-123FL優(yōu)化電路板空間占用每單位內(nèi)的功率耗散，該封裝是便攜與無線電路板設(shè)計所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇，此類設(shè)計必須符合電源管理和保護的嚴(yán)格要求。” SO
關(guān)鍵字：安森美封裝

飛兆半導(dǎo)體全新8引腳邏輯器件封裝MicroPak™ 8體積比US8減小60%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級無引腳封裝，具備1、2和3位邏輯和開關(guān)功能。全新的TinyLogic
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體封裝

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界最廣泛的SOT553和SOT563封裝標(biāo)準(zhǔn)邏輯與分立器件系列

安森美半導(dǎo)體（美國納斯達克上市代號：ONNN）率先推出35個以上采用SOT553 和SOT563超小型、低厚度、無鉛有引線封裝的小信號、標(biāo)準(zhǔn)邏輯及二極管陣列器件。公司將會在第二季度末推出同樣封裝的另外15個新器件。安森美半導(dǎo)體副總裁兼標(biāo)準(zhǔn)元件部門總經(jīng)理Charlotte Diener說：“安森美半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)，電路板設(shè)計人員對我們具實效的小體積封裝標(biāo)準(zhǔn)及集成標(biāo)準(zhǔn)元件的需求日益增加，這種封裝能在世界最多的領(lǐng)先電路板制造商采用的取放設(shè)備上裝配，同時可進行目視檢驗——因為這仍是一種通用、經(jīng)濟的行業(yè)慣例。安森美半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：安森美封裝

飛利浦?jǐn)U展LFPAK封裝的功率MOSFET系列

優(yōu)化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻，電性能極好，所需元件數(shù)量更少皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產(chǎn)品系列，推出創(chuàng)新性的SOT669無損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計，具有體積更小、效率更高、性能更加優(yōu)化等特點，可用于眾多新應(yīng)用，如筆記本電腦、臺式機、服務(wù)器、高頻應(yīng)用等。飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻，以增強功率功能。MOSFET還具有低封裝電感，從而提高了開關(guān)速度，使飛利浦LFPAK
關(guān)鍵字：飛利浦封裝

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅(qū)動器性能

功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設(shè)計的iMOTION集成設(shè)計平臺系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
關(guān)鍵字： IR 封裝

飛利浦推出SOT666/SS-Mini SMD封裝的高性能低VCesa BISS晶體管

日前，皇家飛利浦電子集團在創(chuàng)新性的低VCesa BISS晶體管產(chǎn)品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成員，從而成為全球首個推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS晶體管的半導(dǎo)體廠商。PBSS4240V和PBSS5240V的集電極電流高達2A，具有一流的性能，并在功能增強的同時，相對其他較為著名的SOT23 封裝1A器件還節(jié)省了41%的PCB空間。PBSS4240V和PBSS5240V還提供極低的集電極-發(fā)射極電阻（RCEsat = 190 mW），由于產(chǎn)生熱量更少，還可提高整體電路
關(guān)鍵字：飛利浦封裝

高效照相閃光燈電容充電器采用ThinSOT封裝

凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相閃光燈電容充電器 LT3468。LT3468 是一個獨立的解決方案，用于照相閃光燈電容充電，所需線路板面積最小，無需軟件開發(fā)。LT3468 能迅速有效地給高壓（一般為 320 V）照相閃光燈電容充電。這個器件既可用于數(shù)字相機，也可用于膠片相機，采用限流回掃拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可用 3.6V 電池在 4.6 秒內(nèi)將一個 100uF 電容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值電流，與標(biāo)準(zhǔn)回掃變壓器配合使用，能以高于 80% 的效率對任
關(guān)鍵字：凌特公司封裝

飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET：占用電路板空間減少60%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設(shè)備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢，這些設(shè)備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及數(shù)碼相機等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP（倒裝引腳鑄模封裝）中結(jié)合了飛兆半導(dǎo)體的高性能 PowerTrench
關(guān)鍵字：飛兆封裝

環(huán)球儀器與CALCE合作增強封裝與裝配技術(shù)分析能力

環(huán)球儀器公司 (Universal Instruments) 表面貼裝技術(shù)（SMT）實驗室已和馬里蘭大學(xué)CALCE電子產(chǎn)品及系統(tǒng)中心（EPSC）達成合作協(xié)議，共同針對封裝及裝配的可靠性和制造能力進行研究。研究內(nèi)容將著重于無鉛制造的互連可靠性和技巧方面。環(huán)球儀器SMT實驗室George Westby解釋道：“我們希望能夠充分利用這一領(lǐng)域現(xiàn)有的全部研究基金。通過將我們的知識與CALCE的研究工作相結(jié)合，特別是在模制和仿真技術(shù)領(lǐng)域，我們期望能以更低的總成本和更快的速度，為客戶制定新的解決方案?！盋ALCE的Mi
關(guān)鍵字：環(huán)球儀器封裝

2003年8月，英特爾宣布在成都建立封裝和測試半導(dǎo)體產(chǎn)品的工廠

　　2003年8月，英特爾宣布在四川省成都市投資建立封裝和測試英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)品的工廠。
關(guān)鍵字： Intel 封裝測試

共1059條 70/71 |‹ « 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 »

封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對象的屬性和實現(xiàn)細節(jié)，僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個有機的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進行有機的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。　　封裝的目的是增強安全性和簡化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細 ]