靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）文章進(jìn)入靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）技術(shù)社區(qū)

實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn) | STM32G071 從 standby 模式退出后的 SRAM 數(shù)據(jù)保留

01 問(wèn)題的描述某客戶(hù)使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊(cè)的描述，配置了相應(yīng)的比特位，但是發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然保持不了。02 問(wèn)題的復(fù)現(xiàn)根據(jù)客戶(hù)的描述，以及 STM32G071 的最新版參考手冊(cè) RM0444 發(fā)現(xiàn)，在 standby 模式下，可以通過(guò)設(shè)置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相應(yīng)的 API 接口函數(shù)為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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SRAM正在測(cè)試3D打印原型曲柄

SRAM正在通過(guò)與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件，開(kāi)始制造真正可用的3D打印原型曲柄?；谶@種人工智能設(shè)計(jì)流程，我們可能會(huì)看到完全重新構(gòu)想的SRAM曲柄投放市場(chǎng)。不容置疑的是，SRAM在這種新的設(shè)計(jì)方法中投入了大量精力，并且他們已經(jīng)在真實(shí)的道路上，用這款電腦設(shè)計(jì)的山地車(chē)曲柄進(jìn)行了的多次迭代測(cè)試……使用Autodesk，SRAM能夠從空白開(kāi)始，讓人工智能根據(jù)曲柄組中的作用力和各種自動(dòng)化制造過(guò)程，為原型曲柄組篩選出最佳的設(shè)計(jì)形式。到目前為止，似乎SRAM已經(jīng)
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格芯贏得AI芯片業(yè)務(wù)

像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負(fù)擔(dān)得起7nm技術(shù)，但初創(chuàng)公司和其他規(guī)模較小的公司卻因?yàn)閺?fù)雜的設(shè)計(jì)規(guī)則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術(shù)提供了一條替代途徑，通過(guò)減小電壓而不是晶體管尺寸來(lái)降低功耗。格芯還開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)針對(duì)AI加速而優(yōu)化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結(jié)果是，典型AI運(yùn)算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶(hù)已經(jīng)利用初代12LP技術(shù)獲得了業(yè)界領(lǐng)先的結(jié)果，首批采用12LP+工藝制造的產(chǎn)品將于
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使用帶有片上高速網(wǎng)絡(luò)的FPGA的八大好處

引言自從幾十年前首次推出FPGA以來(lái)，每種新架構(gòu)都繼續(xù)在采用按位（bit-wise）的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。雖然這種方法一直是成功的，但是隨著高速通信標(biāo)準(zhǔn)的興起，總是要求不斷增加片上總線(xiàn)位寬，以支持這些新的數(shù)據(jù)速率。這種限制的一個(gè)后果是，設(shè)計(jì)人員經(jīng)常花費(fèi)大量的開(kāi)發(fā)時(shí)間來(lái)嘗試實(shí)現(xiàn)時(shí)序收斂，犧牲性能來(lái)為他們的設(shè)計(jì)布局布線(xiàn)。傳統(tǒng)的FPGA布線(xiàn)基于整個(gè)FPGA中水平和垂直方向上運(yùn)行的多個(gè)獨(dú)立分段互連線(xiàn)（segment），在水平和垂直布線(xiàn)的交叉點(diǎn)處帶有開(kāi)關(guān)盒（switch box）以實(shí)現(xiàn)通路的連接。通過(guò)這些獨(dú)立段和開(kāi)
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瑞薩電子宣布擴(kuò)大IP授權(quán)范圍

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布擴(kuò)大其備受歡迎的IP的授權(quán)范圍，幫助設(shè)計(jì)師能夠在瞬息萬(wàn)變的行業(yè)中滿(mǎn)足廣泛的客戶(hù)需求。自即日起，客戶(hù)將可訪(fǎng)問(wèn)諸如尖端的7nm（納米）SRAM和TCAM，以及領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)（TSN）等IP。此外，瑞薩電子正致力于打造包括PIM（內(nèi)存處理）的系統(tǒng)IP，該技術(shù)首次在2019年6月的會(huì)議論文中提出，作為AI（人工智能）加速器引起廣泛關(guān)注。利用這些IP，客戶(hù)可迅速啟動(dòng)其先進(jìn)的半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，例如為領(lǐng)先的5G網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)下一代AI芯
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基于J750EX測(cè)試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測(cè)試技術(shù)研究

作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋(píng)，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機(jī)器(SRAM)用其對(duì)大
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基于 QDR-IV SRAM 實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器 IP設(shè)計(jì)

網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器。計(jì)數(shù)器用來(lái)記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開(kāi)的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)
關(guān)鍵字： SRAM 網(wǎng)絡(luò)

新式儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)能加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛嗎？

　　MRAM新創(chuàng)公司STT開(kāi)發(fā)出一種存儲(chǔ)器專(zhuān)有技術(shù)，據(jù)稱(chēng)可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎?　　磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開(kāi)發(fā)出MRAM專(zhuān)用技術(shù)，據(jù)稱(chēng)能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
關(guān)鍵字： MRAM SRAM

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

　　RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。　　按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。　　SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。　　SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
關(guān)鍵字： SRAM DRAM

嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？

　　隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類(lèi)已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。　　近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用2
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賽普拉斯授權(quán)UMC生產(chǎn)的 65nm 和 40nm SRAM 器件榮獲航空航天級(jí) QML 認(rèn)證

　　包括抗輻射存儲(chǔ)器在內(nèi)的先進(jìn)嵌入式系統(tǒng)解決方案市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UMC”)今日聯(lián)合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術(shù)平臺(tái)成為業(yè)界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認(rèn)證的平臺(tái)，為其未來(lái)產(chǎn)品鋪平了道路。UMC的 Fab 12A(位于臺(tái)灣臺(tái)南)生產(chǎn)的新一代 144 Mb 四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) II+、
關(guān)鍵字：賽普拉斯 SRAM

Cypress于聯(lián)華電子制造的65及40納米SRAM元件通過(guò)航空級(jí)QML認(rèn)證

　　聯(lián)華電子與抗輻射記憶體 (Radiation hardened memories) 領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Cypress今 ( 15日) 共同宣布，Cypress的65和40奈米的技術(shù)平臺(tái)率先業(yè)界，完成其先進(jìn)產(chǎn)品流程合格製造商清單 (QML) 的認(rèn)證。聯(lián)華電子位于臺(tái)灣臺(tái)南的Fab 12A所製造的下一代144-Mbit四倍資料速率 (QDR) II +，144-Mbit&nbs
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AVR掉電保護(hù)電路設(shè)計(jì)圖剖析 —電路圖天天讀（221）

關(guān)鍵字： AVR單片機(jī) 保護(hù)電路 SRAM

基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——外部SRAM

所謂外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲(chǔ)器也有不少種類(lèi)。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器既有優(yōu)點(diǎn)又有缺點(diǎn)。
關(guān)鍵字： SRAM 存儲(chǔ)器 RAM FPGA

針對(duì)微控制器應(yīng)用的FPGA實(shí)現(xiàn)

當(dāng)你打開(kāi)任何智能電子設(shè)備(從老式的電視遙控器到全球定位系統(tǒng))，會(huì)發(fā)現(xiàn)幾乎所有的設(shè)備都至少采用了一個(gè)微控制器(MCU)，很多設(shè)備里還會(huì)有多個(gè)微控制器。MCU往往被用于專(zhuān)用的終端產(chǎn)品或設(shè)備中，它能夠很好地完成特殊任務(wù)。另一方面，PC的大腦，即微處理器被設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)許多通用的功能。微控制器可用于降低成本，加固工業(yè)和自動(dòng)化應(yīng)用，將其嵌入FPGA中時(shí)，還可以通過(guò)重新編程迅速改變功能。這種靈活性使得單個(gè)設(shè)備可應(yīng)用于接口標(biāo)準(zhǔn)不同的多個(gè)市場(chǎng)。
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靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）介紹

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