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官宣了！IC China 2024將于11月18日在北京舉行
- 11月1日下午，第二十一屆中國國際半導(dǎo)體博覽會（IC China 2024）新聞發(fā)布會在北京舉行。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會副理事長兼秘書長張立、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行秘書長王俊杰、北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰究偨?jīng)理宋波出席會議，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點，并回答記者提問。發(fā)布會由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會專職副理事長兼書記劉源超主持。發(fā)布會披露，IC China 2024由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦，北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰境修k，將于11月18日—20日在北京國家會議中心舉辦。自2003年
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臺積電OIP推3D IC設(shè)計新標(biāo)準(zhǔn)
- 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r間25日展開，除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設(shè)計構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設(shè)計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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倒計時5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢待發(fā)
- （一）會議概況2024中國集成電路設(shè)計創(chuàng)新大會暨第四屆IC應(yīng)用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）暨汽車電子應(yīng)用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會共設(shè)2場高峰論壇、8場專題分會（含1場供需對接+1場強(qiáng)芯發(fā)布），150場報告，6000+平米展區(qū)展示，200+展商展示IC創(chuàng)新成果與整機(jī)應(yīng)用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會。會議看點1、第十屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）概況2024 AEIF技術(shù)展覽規(guī)模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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東芝推出全新可重復(fù)使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產(chǎn)品
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護(hù)功能。首批兩款產(chǎn)品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產(chǎn)品將陸續(xù)上市。TCKE9系列產(chǎn)品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護(hù)供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標(biāo)準(zhǔn)物理熔斷器無法做到的。即使發(fā)生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產(chǎn)品還具有過熱保護(hù)和短路保護(hù)功能，當(dāng)電路產(chǎn)生異常熱量或發(fā)生意外短路時，可通
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計工具，能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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西門子推出 Solido IP 驗證套件，為下一代 IC 設(shè)計提供端到端的芯片質(zhì)量保證
- ●? ?西門子集成的驗證套件能夠在整個IC設(shè)計周期內(nèi)提供無縫的IP質(zhì)量保證，為IP開發(fā)團(tuán)隊提供完整的工作流程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動化簽核解決方案，可為包括標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計知識產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設(shè)計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認(rèn)證，能夠提升完整芯
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]
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