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3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
Allegro MicroSystems推出雙極輸出Power-Thru IC,擴(kuò)展隔離柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合
- 美國(guó)新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術(shù)和功率半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（納斯達(dá)克股票代碼：ALGM）（以下簡(jiǎn)稱Allegro）宣布推出高壓電源產(chǎn)品組合中的第二款產(chǎn)品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅(qū)動(dòng)器?IC 增加了重要的安全功能，同時(shí)簡(jiǎn)化了電動(dòng)汽車和清潔能源應(yīng)用（包括?OBC/DC-DC、太陽(yáng)能逆變器和數(shù)據(jù)中心電源）中大功率能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。Allegro 副總裁兼
- 關(guān)鍵字： Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖
- 開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
Microchip發(fā)布最新款TrustAnchor安全I(xiàn)C，充分滿足更高的汽車安全認(rèn)證要求
- 2023年11月16日消息，隨著汽車的互聯(lián)性不斷提高、技術(shù)日益先進(jìn)，對(duì)加強(qiáng)安全措施的需求也隨之增加。各國(guó)政府和汽車OEM最新的網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)范開(kāi)始包含更大的密鑰尺寸和愛(ài)德華曲線ed25519算法標(biāo)準(zhǔn)（Edwards Curve ed25519）。為此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任錨點(diǎn)安全I(xiàn)C（Trust Anchor Security IC） TA101，可滿足復(fù)雜的汽車和嵌入式安全用例。TA101 支持高達(dá) ECC P521、SHA512、R
- 關(guān)鍵字： Microchip TrustAnchor IC 汽車安全認(rèn)證
面向配件生態(tài)系統(tǒng)和一次性用品應(yīng)用的高性價(jià)比 安全身份驗(yàn)證解決方案
- Microchip Technology Inc.安全及計(jì)算產(chǎn)品部市場(chǎng)經(jīng)理Xavier Bignalet如果您對(duì)單個(gè)配件的身份驗(yàn)證、規(guī)范化電子配件生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建或一次性用品的假冒偽劣處理感興趣，歡迎閱讀本篇博文。我們將介紹最新推出的高性價(jià)比安全身份驗(yàn)證IC?？纯此鼈兲峁┝四男┌踩匦詠?lái)幫助您實(shí)現(xiàn)反威脅模型。面向一次性用品和配件生態(tài)系統(tǒng)的成本優(yōu)化型安全身份驗(yàn)證 IC不知您是否有注意到，其實(shí)我們每天都在經(jīng)歷著各種安全身份驗(yàn)證過(guò)程。例如，當(dāng)您發(fā)送電子郵件、將手機(jī)插入充電器或打印文檔時(shí)，后臺(tái)都有在進(jìn)行身份驗(yàn)證。本
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器
- ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤(pán)位置檢測(cè)、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
- 關(guān)鍵字： TDK ASIL C 3D HAL傳感器
恩智浦全新電池管理系統(tǒng)IC發(fā)布，全生命周期提升電池組性能及安全性！
- 恩智浦新一代電池管理系統(tǒng)IC的電芯測(cè)量精度低至0.8 mV，并且其全生命周期為考量的設(shè)計(jì)穩(wěn)健性，可增強(qiáng)電池管理系統(tǒng)的性能，充分挖掘電動(dòng)汽車鋰離子電池和儲(chǔ)能系統(tǒng)的可用容量并提高安全性。恩智浦半導(dǎo)體推出了下一代電池控制器IC，旨在優(yōu)化電池管理系統(tǒng)（BMS）的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模擬前端器件可在寬溫度范圍內(nèi)提供低至0.8 mV的電芯測(cè)量精度和出色的電芯均衡力，支持功能安全等級(jí)ASIL-D，適合用于與安全密切相關(guān)的高壓鋰離子電池中，以充分挖掘可用容量。鋰離子電池因單位體積和重量的能量密度
- 關(guān)鍵字： 電池管理系統(tǒng) IC 電芯測(cè)量精度 BMS MC33774
TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器
- ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
- 關(guān)鍵字： TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF相機(jī)于物流倉(cāng)儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
- 3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉(cāng)儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無(wú)人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問(wèn)題，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無(wú)人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
- 關(guān)鍵字： 3D ToF 相機(jī) 物流倉(cāng)儲(chǔ) 自動(dòng)化 臺(tái)達(dá)
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 泛林
基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案
- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤(pán)傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
- 關(guān)鍵字： 3D 打印機(jī) NXP LPC5528
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]
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