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3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺(jué)相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
- 關(guān)鍵字： Zivid 3D 機(jī)器人
2026年，中國(guó)大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示，2026年，中國(guó)大陸將超越韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國(guó)大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場(chǎng)份額。此外，KnometaResearch預(yù)計(jì)，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長(zhǎng)率為4.5%，2025年和2026年增長(zhǎng)率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國(guó)大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2025年，中國(guó)大陸的產(chǎn)能份額
- 關(guān)鍵字： IC 晶圓 半導(dǎo)體市場(chǎng)
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！
- 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 集邦咨詢(xún)
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局
- 從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線(xiàn)寬來(lái)提高集成度
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲(chǔ)
模擬: 對(duì)于采用雙向自動(dòng)檢測(cè)IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析
- AbstractTXB0104是應(yīng)用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡)芯片之間通信的雙向自動(dòng)檢測(cè)電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識(shí)別信號(hào)傳輸方向的時(shí)候，需要注意外部硬件設(shè)計(jì)，不然可能會(huì)出現(xiàn)掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。問(wèn)題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為T(mén)XB0104工作異常。實(shí)測(cè)中發(fā)現(xiàn)如圖中線(xiàn)路所示：1.只有D0通道無(wú)信號(hào)，因?yàn)閷0數(shù)據(jù)線(xiàn)由主芯片（AM3352）側(cè)飛線(xiàn)到EMMC，D0開(kāi)始傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，eMMC掛載正常
- 關(guān)鍵字： 自動(dòng)檢測(cè) IC TXB0104 電平 轉(zhuǎn)換端口
Allegro MicroSystems推出雙極輸出Power-Thru IC,擴(kuò)展隔離柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合
- 美國(guó)新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術(shù)和功率半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（納斯達(dá)克股票代碼：ALGM）（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Allegro）宣布推出高壓電源產(chǎn)品組合中的第二款產(chǎn)品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅(qū)動(dòng)器?IC 增加了重要的安全功能，同時(shí)簡(jiǎn)化了電動(dòng)汽車(chē)和清潔能源應(yīng)用（包括?OBC/DC-DC、太陽(yáng)能逆變器和數(shù)據(jù)中心電源）中大功率能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。Allegro 副總裁兼
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)圖
- 開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
Microchip發(fā)布最新款TrustAnchor安全I(xiàn)C，充分滿(mǎn)足更高的汽車(chē)安全認(rèn)證要求
- 2023年11月16日消息，隨著汽車(chē)的互聯(lián)性不斷提高、技術(shù)日益先進(jìn)，對(duì)加強(qiáng)安全措施的需求也隨之增加。各國(guó)政府和汽車(chē)OEM最新的網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)范開(kāi)始包含更大的密鑰尺寸和愛(ài)德華曲線(xiàn)ed25519算法標(biāo)準(zhǔn)（Edwards Curve ed25519）。為此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任錨點(diǎn)安全I(xiàn)C（Trust Anchor Security IC） TA101，可滿(mǎn)足復(fù)雜的汽車(chē)和嵌入式安全用例。TA101 支持高達(dá) ECC P521、SHA512、R
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面向配件生態(tài)系統(tǒng)和一次性用品應(yīng)用的高性?xún)r(jià)比 安全身份驗(yàn)證解決方案
- Microchip Technology Inc.安全及計(jì)算產(chǎn)品部市場(chǎng)經(jīng)理Xavier Bignalet如果您對(duì)單個(gè)配件的身份驗(yàn)證、規(guī)范化電子配件生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建或一次性用品的假冒偽劣處理感興趣，歡迎閱讀本篇博文。我們將介紹最新推出的高性?xún)r(jià)比安全身份驗(yàn)證IC。看看它們提供了哪些安全特性來(lái)幫助您實(shí)現(xiàn)反威脅模型。面向一次性用品和配件生態(tài)系統(tǒng)的成本優(yōu)化型安全身份驗(yàn)證 IC不知您是否有注意到，其實(shí)我們每天都在經(jīng)歷著各種安全身份驗(yàn)證過(guò)程。例如，當(dāng)您發(fā)送電子郵件、將手機(jī)插入充電器或打印文檔時(shí)，后臺(tái)都有在進(jìn)行身份驗(yàn)證。本
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TDK發(fā)布適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器
- ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車(chē)安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車(chē)應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤(pán)位置檢測(cè)、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
- 關(guān)鍵字： TDK ASIL C 3D HAL傳感器
恩智浦全新電池管理系統(tǒng)IC發(fā)布，全生命周期提升電池組性能及安全性！
- 恩智浦新一代電池管理系統(tǒng)IC的電芯測(cè)量精度低至0.8 mV，并且其全生命周期為考量的設(shè)計(jì)穩(wěn)健性，可增強(qiáng)電池管理系統(tǒng)的性能，充分挖掘電動(dòng)汽車(chē)鋰離子電池和儲(chǔ)能系統(tǒng)的可用容量并提高安全性。恩智浦半導(dǎo)體推出了下一代電池控制器IC，旨在優(yōu)化電池管理系統(tǒng)（BMS）的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模擬前端器件可在寬溫度范圍內(nèi)提供低至0.8 mV的電芯測(cè)量精度和出色的電芯均衡力，支持功能安全等級(jí)ASIL-D，適合用于與安全密切相關(guān)的高壓鋰離子電池中，以充分挖掘可用容量。鋰離子電池因單位體積和重量的能量密度
- 關(guān)鍵字： 電池管理系統(tǒng) IC 電芯測(cè)量精度 BMS MC33774
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(xiàn)(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱(chēng)之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]
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