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三星加快部署3D芯片封裝技術(shù) 希望明年同臺積電展開競爭
- 據(jù)國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術(shù)，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術(shù)的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術(shù)的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術(shù)名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術(shù)，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術(shù)來
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Dialog作為瑞薩汽車平臺優(yōu)選電源解決方案供應(yīng)商，進一步擴展雙方合作
- 領(lǐng)先的電池管理、AC/DC電源轉(zhuǎn)換、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）、工業(yè)IC供應(yīng)商 Dialog半導體公司 近日宣布，將進一步擴展其與先進半導體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商瑞薩電子的合作，為瑞薩R-Car M3和R-Car E3汽車計算平臺提供電源管理IC（PMIC）解決方案。建立在與瑞薩R-Car Gen 2和R-Car H3平臺的合作基礎(chǔ)之上，針對R-Car M3和R-Car E3平臺的Dialog電源解決方案包括DA9063-A系統(tǒng)主PMIC和DA9224-A sub PMIC。每顆器件
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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程
- 據(jù)臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應(yīng)用嚴苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設(shè)備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節(jié)
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Dialog宣布其FusionHD? NOR閃存兼容并已在SmartBond?低功耗藍牙無線MCU平臺上認證
- 領(lǐng)先的電池管理、AC/DC電源轉(zhuǎn)換、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）、工業(yè)IC供應(yīng)商 Dialog半導體公司 近日宣布，其收購Adesto Technologies后新增的產(chǎn)品FusionHD? NOR閃存完全兼容并可與Dialog的SmartBond? DA1469x低功耗藍牙（BLE）微控制器（MCU）搭配使用。采用該組合解決方案，客戶將能在廣泛的工業(yè)和聯(lián)網(wǎng)消費類應(yīng)用中部署最新的低功耗藍牙技術(shù)，同時將功耗控制在極低水平。Dialog半導體公司工業(yè)事業(yè)部副總裁Raphael Mehr
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Littelfuse新推尺寸最小的PPTC保護便攜設(shè)備，可避免因過電流、過熱條件而損壞
- 全球領(lǐng)先的電路保護、功率控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse, Inc. 近日宣布推出新的PPTC產(chǎn)品系列，該產(chǎn)品系列旨在讓當今最常用的消費電子產(chǎn)品的下一代產(chǎn)品變得更小巧、更可靠。 PolySwitch? zeptoSMDC 系列在鋰離子電池組IC和電量計的信號線上提供強大的過電流和過電壓保護。 該系列PPTC針對高壓（13 VDC）應(yīng)用。 該系列具有較小的0201表面貼裝尺寸，是尺寸越來越小的移動和可穿戴產(chǎn)品設(shè)計的理想選擇。作為Littelfuse PolySwitch自恢復過
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Mentor 推出 Calibre nmLVS-Recon 技術(shù)，顯著簡化 IC 電路驗證過程
- 為了幫助集成電路 (IC) 設(shè)計人員更快地實現(xiàn)設(shè)計收斂，Mentor, a Siemens business 近日將Calibre? Recon 技術(shù)擴展至 Calibre nmLVS 電路驗證平臺。Calibre Recon 技術(shù)于2019年推出，作為 Mentor Calibre nmDRC 套件的擴展，旨在幫助客戶在早期驗證設(shè)計迭代期間快速、自動和準確地分析 IC 設(shè)計中的錯誤，從而極大地縮短設(shè)計周期和產(chǎn)品上市時間?！? ?Calibre nmLVS-Recon?技術(shù)可
- 關(guān)鍵字： IC SoC IDM
高效節(jié)能！Silicon Mitus汽車用AVN電源管理IC亮相
- 電源管理半導體IC設(shè)計公司Silicon Mitus 近日推出用于汽車車載主機(AVN)的SoC電源管理IC “SM6700Q”。通過汽車AVN電源管理IC能夠從汽車電池流入的電源有效切換、分配及控制于車輛SoC平臺上。另外，新產(chǎn)品SM6700Q高度符合汽車AVN的SoC上所需要的電源、CPU、存儲、I/O和I/F等各種電源需求。SM6700Q的特征為：支持3.5~5.5V輸入范圍；搭載6個降壓穩(wěn)壓器 (Buck Regulator) 和6個LDO Regulator；具有4CH的10-bit模擬數(shù)字變換
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多重因素交織，從CITE 2020看中國集成電路如何“乘風破浪”
- 第八屆中國電子信息博覽會（英文簡稱“CITE 2020”）將于2020年8月14-16日在深圳會展中心舉行，CITE2020距離上一屆中國電子信息博覽會已經(jīng)過去一年帶三個月。多出的三個月可謂風雨交加，新冠疫情的爆發(fā)對中國乃至全球集成電路造成一定影響，而CITE 2020的舉辦釋放著產(chǎn)業(yè)復工復產(chǎn)、穩(wěn)步前行、尋找新機遇等多重信號。不止疫情，一年多時間來，中國集成電路產(chǎn)業(yè)面臨復雜國際形勢以及新基建、科創(chuàng)板等危與機。多重因素交織下的CITE 2020，上演了一出中國集成電路“乘風破浪”的好戲。多出好“戲”“好戲”
- 關(guān)鍵字： 預(yù)測 CITE 2020 新基建 IC
貿(mào)澤開售Laird Connectivity Pinnacle 100系列調(diào)制解調(diào)器
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 即日起開始分銷 Laird Connectivity 的全新 Pinnacle 100 蜂窩調(diào)制解調(diào)器。此多功能無線調(diào)制解調(diào)器將藍牙5技術(shù)的優(yōu)點與低功耗蜂窩LTE連接技術(shù)結(jié)合在一個全集成解決方案中。Pinnacle 100調(diào)制解調(diào)器通過了無線電監(jiān)管、蜂窩和網(wǎng)絡(luò)運營商的全面認證，是在物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用邊緣運行的電池供電設(shè)備的理想 低功耗&nb
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東芝與MikroElektronika展開合作，為電機驅(qū)動IC開發(fā)評估板
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅(qū)動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設(shè)計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅(qū)動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅(qū)動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應(yīng)用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機，東芝提供豐富的電機驅(qū)動
- 關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET
英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑
- 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預(yù)計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個經(jīng)過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
- 關(guān)鍵字： MOSFET IC NASA IR
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]
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