3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
- 關(guān)鍵字： 西門子 聯(lián)華電子 3D IC 混合鍵合流程
西門子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力
- · 西門子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達(dá)10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數(shù)字驗證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號設(shè)計 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出 Symphony? Pro 平臺，基于原有的 Symphony 混合信號驗證能力，進(jìn)一步擴展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
- 關(guān)鍵字： 西門子 混合信號 IC 驗證
打造驅(qū)動第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
- 受訪人：亞德諾半導(dǎo)體 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
- 關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導(dǎo)體 IC 功率器件
TrendForce：預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 價格降幅將擴大至 8%-10%
- IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進(jìn)一步表示，中國面板驅(qū)動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能，更愿意配合面板廠的要求，價格降幅可達(dá)到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下，面板驅(qū)動 IC 價格不排除將持續(xù)下跌，且有極大可能會比預(yù)估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外，TrendFor
- 關(guān)鍵字： IC TrendForce 市場
無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個概念
- 可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統(tǒng)可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個稱為上電復(fù)位（VPOR）的最低電壓來生成明確或可靠的復(fù)位信號，而在該最低電源電壓到來之前，復(fù)位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來說，我們將其稱之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即開漏和推挽（圖1），兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
- 關(guān)鍵字： ADI IC
長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級
- 近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年
- 近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預(yù)計年底量產(chǎn)
- 頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級
- 比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
- 關(guān)鍵字： imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨角獸榜單出爐
- 集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟(jì)制高點的必爭領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵我國具有市場競爭實力和投資價值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)，對優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統(tǒng)化估值，提升企業(yè)的國際和國內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動的基礎(chǔ)上，由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動歷時兩個月，收到企業(yè)自薦及機構(gòu)推薦
- 關(guān)鍵字： IC 獨角獸
英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器
- 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求，以及實現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
- 關(guān)鍵字： 3D 圖像傳感器
英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用
- 增強現(xiàn)實（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應(yīng)用而設(shè)計，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
- 關(guān)鍵字： 3D s深度傳感
不畏亂流 半導(dǎo)體市場逆風(fēng)揚
- 隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實施封控，以及俄烏戰(zhàn)爭懸而未決，經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)對今年全球經(jīng)濟(jì)成長將造成挑戰(zhàn)，但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機構(gòu)仍預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體市場仍會較去年成長一成以上。IC Insights表示，今年全球半導(dǎo)體總銷售額仍可年增11％，與今年初預(yù)測相同，但外在變化造成的不確定性，導(dǎo)致芯片銷售成長幅度或有消長。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預(yù)期，包括嵌入式處理器及手機應(yīng)用處理器成長強勁，功率組件價格續(xù)漲且成長幅度增加，至于CMOS影像傳感器
- 關(guān)鍵字： Gartner IC Insights 半導(dǎo)體市場
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]
3d-ic電路
3d-ic相關(guān)帖子
3d-ic資料下載
3d-ic專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473