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          倒計時5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢待發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • （一）會議概況2024中國集成電路設計創(chuàng)新大會暨第四屆IC應用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）暨汽車電子應用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會共設2場高峰論壇、8場專題分會（含1場供需對接+1場強芯發(fā)布），150場報告，6000+平米展區(qū)展示，200+展商展示IC創(chuàng)新成果與整機應用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會。會議看點1、第十屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）概況2024 AEIF技術展覽規(guī)模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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          • 關鍵字：
                        ICDIA-IC Show & AEIF 2024                           
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          東芝推出全新可重復使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護功能。首批兩款產品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產品將陸續(xù)上市。TCKE9系列產品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標準物理熔斷器無法做到的。即使發(fā)生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產品還具有過熱保護和短路保護功能，當電路產生異常熱量或發(fā)生意外短路時，可通
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          • 關鍵字：
                        東芝  電子熔斷器  eFuse IC                          
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          內存制造技術再創(chuàng)新，大廠新招數呼之欲出
          
                                                            
            
                    	
          • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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          • 關鍵字：
                        HBM  3D DRAM                          
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          鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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          • 關鍵字：
                        鎧俠  3D NAND堆疊                          
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          SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
          
                                                            
            
                    	
          • 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  3D DRAM                          
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          西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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          • 關鍵字：
                        西門子  Calibre 3DThermal  3D IC                          
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          西門子推出 Solido IP 驗證套件，為下一代 IC 設計提供端到端的芯片質量保證
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?西門子集成的驗證套件能夠在整個IC設計周期內提供無縫的IP質量保證，為IP開發(fā)團隊提供完整的工作流程西門子數字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動化簽核解決方案，可為包括標準單元、存儲器和 IP 模塊在內的設計知識產權 (IP) 提供質量保證。這一全新的解決方案提供完整的質量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證，能夠提升完整芯
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          • 關鍵字：
                        西門子  Solido IP  IC設計  IC 設計                          
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          邁向 3D 內存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業(yè)化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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          • 關鍵字：
                        3D 內存  存儲  三星                          
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          全球芯片設計廠商TOP10：英偉達首次登頂
          
                                                            
            
                    	
          • 得益于人工智能需求激增推動的英偉達營收大增，全球前十大芯片設計廠商在去年的營收超過了1600億美元，英偉達也首次成為年度營收最高的芯片設計廠商。
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          • 關鍵字：
                        芯片  英偉達  IC  高通  博通                          
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          欠電壓閉鎖的一種解釋
          
                                                            
            
                    	
          • 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
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          • 關鍵字：
                        欠電壓閉鎖，UVLO  MOSFET，IC                          
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          SK海力士試圖用低溫蝕刻技術生產400多層的3D NAND
          
                                                            
            
                    	
          • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  3D NAND                          
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          5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術將應用于手機、物聯(lián)網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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          • 關鍵字：
                        5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC                          
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          聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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          • 關鍵字：
                        聯(lián)電  3D IC                          
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          如何減少光學器件的數據延遲
          
                                                            
            
                    	
          • 光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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          • 關鍵字：
                        3D-IC                          
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          Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云
          
                                                            
            
                    	
          • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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          • 關鍵字：
                        Zivid  3D  機器人                          
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          3d-ic介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	3D IC產業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						3D-IC   
										樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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