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          進(jìn)擊的中國(guó)碳化硅

          • 中國(guó)碳化硅廠商把價(jià)格打下來(lái)了。
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠?

          • 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

          • 壓縮機(jī)是汽車(chē)空調(diào)的一部分,它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實(shí)現(xiàn)車(chē)內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力,通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。而新能源汽車(chē)脫離了發(fā)動(dòng)機(jī),以電池為動(dòng)力,通過(guò)逆變電路驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī),從而帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件,除了可以提高車(chē)廂內(nèi)的環(huán)境舒適度(制冷,制熱)以外,對(duì)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用,對(duì)電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機(jī)需
          • 關(guān)鍵字: 壓縮機(jī)  汽車(chē)空調(diào)  SiC  

          三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能

          • 在應(yīng)對(duì)消費(fèi)類(lèi)電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置的能耗挑戰(zhàn)中,業(yè)界積極響應(yīng),通過(guò)實(shí)施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項(xiàng)目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評(píng)級(jí)體系。變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率,特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機(jī)轉(zhuǎn)速,并進(jìn)行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān),可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
          • 關(guān)鍵字: 202409  三相集成GaN  電機(jī)驅(qū)動(dòng)器  GaN  

          意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世!為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)逆變器量身定制

          • 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí),意法半導(dǎo)體還針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導(dǎo)體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù),推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
          • 關(guān)鍵字: STPOWER  SiC  MOSFET  

          東芝第3代SiC肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢(shì)壘中使用新型金屬,有
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SiC  肖特基勢(shì)壘二極管  工業(yè)電源  

          第4講:SiC的物理特性

          • 與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯,比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料,具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外,由
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  

          第5講:SiC的晶體缺陷

          • SiC晶體中存在各種缺陷,對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類(lèi)缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會(huì)影響器件的特性。SiC缺陷的主要類(lèi)型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)(SF)、以及刃位錯(cuò)(TED)、螺旋位錯(cuò)(TSD)、基面位錯(cuò)(BPD)和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言,最近質(zhì)量相對(duì)較好的SiC晶體中,微管是1?10個(gè)/cm2,位錯(cuò)的密度約為103~10?長(zhǎng)達(dá)個(gè)/cm2。至今,與Si相
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  

          6.6 kW車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器設(shè)計(jì)

          • 我們采用單全橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390(U60)是一種電流模式高級(jí)LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備,可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說(shuō)明。由于輸出電壓高(250?450 Vdc),同步整流器對(duì)整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此,我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
          • 關(guān)鍵字: 車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器  NVHL060N090SC1  SiC   

          羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型

          • 8月29日上午,備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國(guó)鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國(guó)·武漢鐵人三項(xiàng)公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì)成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì)上,賽事組委會(huì)發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競(jìng)賽距離、競(jìng)賽日程、公開(kāi)賽標(biāo)志、賽事獎(jiǎng)牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長(zhǎng)洪旭艷,江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長(zhǎng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì);武漢市社會(huì)體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息;江夏區(qū)文化和旅游局(體育局)局長(zhǎng)繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介,向社會(huì)各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  極氪  

          新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

          • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱(chēng),擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響,無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資約2.23億元,2022年開(kāi)建,原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng),本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
          • 關(guān)鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測(cè)  

          CAGR達(dá)49%,2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)?;蛏?3.76億美元

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示,隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應(yīng)用普及,GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn),帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升,C
          • 關(guān)鍵字: CAGR  GaN  功率元件  

          TrendForce:預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模上升至43.76億美元

          • 8月15日消息,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)高達(dá)49%。報(bào)告顯示,非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件  

          TrendForce:預(yù)計(jì) 2030 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模 43.76 億美元,復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá) 49%

          • IT之家 8 月 14 日消息,TrendForce 最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器等對(duì) GaN(氮化鎵)技術(shù)傾注更多資源,功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 19.39 億元人民幣),到 2030 年有望上升至 43.76 億美元(當(dāng)前約 313.14 億元人民幣),CAGR(復(fù)合年均增長(zhǎng)率)達(dá) 49%。據(jù)介紹,消費(fèi)電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng),并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

          羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)(展位號(hào):11號(hào)館D14)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  
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