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          一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算,圖文結(jié)合+計(jì)算公式步驟

          • 今天給大家分享的是:IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算。與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度,有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下:如何測(cè)量功率計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: IGBT  損耗  溫升  

          革新GaN IPM技術(shù):引領(lǐng)高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)入新時(shí)代

          • 在當(dāng)今能效需求日益增長(zhǎng)的時(shí)代背景下,家電及HVAC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師們正全力以赴地追求更高的能效標(biāo)準(zhǔn)。與此同時(shí),他們也積極響應(yīng)消費(fèi)者對(duì)可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)用的系統(tǒng)的期待。市場(chǎng)上的主要設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)在于,如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下,設(shè)計(jì)并開(kāi)發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟(jì)適用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這一挑戰(zhàn)要求設(shè)計(jì)師們不斷創(chuàng)新,以實(shí)現(xiàn)能效與實(shí)用性的完美結(jié)合?;谝陨媳尘埃轮輧x器(TI)再次走在行業(yè)前沿,通過(guò)其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵(GaN)智能功率模塊(IPM),為高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)帶來(lái)了革命性的改變。近日,德州儀器在發(fā)布
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  

          德州儀器推出先進(jìn)的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)

          • ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率?!? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對(duì)外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通常面臨的許多設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN IPM  高壓電機(jī)  

          德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)

          • 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對(duì)外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。中國(guó)上海(2024 年 6 月 18 日)– 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  

          安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本

          • 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊,與其他同類(lèi)產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù),帶來(lái)出色的效能表現(xiàn),有助于降低系統(tǒng)成本并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在用于 150 千瓦的逆變器中時(shí),QDual3 模塊的損耗比同類(lèi)競(jìng)品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專(zhuān)為在惡劣條件下工作而設(shè)計(jì),非常適合用于大功率變流器
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  再生能源  

          一文搞懂IGBT

          • 01IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;(因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)))MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。(因?yàn)镸OS管有Rds,如果Ids比較大,就會(huì)導(dǎo)致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的
          • 關(guān)鍵字: IGBT  功率半導(dǎo)體  

          用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

          • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶(hù)可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器
          • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  IGBT  低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器  

          Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

          • 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,適配單個(gè)LV100(三菱)、XHPTM 2(英飛凌)、HPnC(富士電機(jī))以及耐壓高達(dá)2300V的同等半導(dǎo)體功率模塊,該模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)以及風(fēng)電和光伏可再生能源應(yīng)用。該款超緊湊單板驅(qū)動(dòng)器可對(duì)逆變器模塊進(jìn)行主動(dòng)溫升管理,從而提高系統(tǒng)利用率,并簡(jiǎn)化物料清單(BOM)以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。Power Integrations產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Thors
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  門(mén)極驅(qū)動(dòng)器  

          適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的智能功率模塊設(shè)計(jì)實(shí)用指南

          • 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計(jì)提供實(shí)用指南,該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng),包含三相變頻段、柵極驅(qū)動(dòng)器等。設(shè)計(jì)構(gòu)思SPM 31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此,它采用了新型柵極驅(qū)動(dòng)高壓集成電路 (HVIC)、基于先進(jìn)硅技術(shù)的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT),以及基于壓鑄模封裝的改進(jìn)型直接鍵合銅 (DBC) 襯底。與現(xiàn)有的分立方案相比,SPM 31 v2 的電路板尺寸更小,可靠性更高。其目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng),例如商用空調(diào)
          • 關(guān)鍵字: 功率模塊  指南  IPM  三相電機(jī)  

          加速低碳化躍遷,智能功率模塊如何讓熱泵更智能?

          • 隨著企業(yè)向低碳未來(lái)邁進(jìn),市場(chǎng)越來(lái)越需要更高效的功率半導(dǎo)體。開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵目標(biāo)在于,盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸,同時(shí)提高效率。于是,智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運(yùn)而生,并成為熱泵市場(chǎng)備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成,具有高功率密度以及先進(jìn)的控制與監(jiān)測(cè)功能,非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù),在歐盟消耗的所有能源中,約 50% 用于供暖和制冷,而且超過(guò) 70% 仍然來(lái)自化石燃料(主要是天然氣)。在住宅領(lǐng)域,約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵(圖
          • 關(guān)鍵字: 熱泵  功率半導(dǎo)體  智能功率模塊  IPM  

          從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊

          • 當(dāng)前的新能源車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,則是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。想要從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),2022年6月新能源車(chē)國(guó)內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布,歐盟27個(gè)成員國(guó)已經(jīng)初步達(dá)成一致,歐洲
          • 關(guān)鍵字: 汽車(chē)  電控  IGBT  

          車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊,持續(xù)放量

          • 3 月 28 日的發(fā)布會(huì)上,小米雷軍對(duì)外正式公布了小米 SU7 各版本的售價(jià)。同時(shí),雷軍宣布特別推出 5000 臺(tái)小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標(biāo)準(zhǔn)版及 Max 版基本配置外,還有專(zhuān)屬車(chē)標(biāo)、配件等權(quán)益。由于提前生產(chǎn),不可選配,故相關(guān)車(chē)型可最先交付,而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標(biāo)準(zhǔn)版與 Max 版于 4 月底啟動(dòng)交付,Pro 版在 5 月底啟動(dòng)交付。幾天后的 4 月 3 日,小米汽車(chē)創(chuàng)始版迎來(lái)首批交付。在北京亦莊小米汽車(chē)工廠總裝車(chē)間的交付現(xiàn)場(chǎng),雷軍親手將車(chē)交給車(chē)主并和車(chē)主合影留念,再揮手目送每位車(chē)主離開(kāi)。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響,本文為第一部分,將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
          • 關(guān)鍵字: 雜散電感  SiC  IGBT  開(kāi)關(guān)特性  

          柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響,本文為第二部分,將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。(點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析)測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析S
          • 關(guān)鍵字: IGBT  SiC  開(kāi)關(guān)特性  

          一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

          • 熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù),其滿(mǎn)足低排放電力要求,是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿(mǎn)足供暖和制冷的要求,但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平,因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類(lèi)似,其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計(jì)。2021年,全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成,且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對(duì)能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對(duì)氣候變化的承諾,熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
          • 關(guān)鍵字: 熱泵  供暖  IPM  MOSFET  IGBT  
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          igbt-ipm介紹

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