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2024二季度NAND Flash出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD推動(dòng)營(yíng)收季增14%
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，由于Server（服務(wù)器）終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲，但因?yàn)镻C和智能手機(jī)廠(chǎng)商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了15%，總營(yíng)收達(dá)167.96億美元，較前一季增長(zhǎng)了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)，并計(jì)劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿(mǎn)足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場(chǎng)表現(xiàn)不佳，
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) NAND Flash AI SSD
TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠(chǎng)商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠(chǎng)商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶(hù)對(duì)
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND Flash
消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠(chǎng) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠(chǎng)建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
存儲(chǔ)亮劍！NAND技術(shù)多點(diǎn)突破
- 人工智能（AI）市場(chǎng)持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí)，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲(chǔ)會(huì)議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲(chǔ)領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢(xún)四位資深分析師針對(duì)HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開(kāi)了深度討論，廓清存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。此外，大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，NVM Express組織在會(huì)中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進(jìn)一步統(tǒng)一存儲(chǔ)架構(gòu)、簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶(hù)實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱(chēng) SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO
- IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專(zhuān)利
- IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？
- NAND 閃存已經(jīng)達(dá)到了一定的密度極限，無(wú)法再進(jìn)一步擴(kuò)展。
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤(pán)，能否搶占先機(jī)？
- 內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD），專(zhuān)為滿(mǎn)足企業(yè)用戶(hù)的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控，三星表示未來(lái)甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤(pán)。對(duì)比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤(pán)容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤(pán)則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細(xì)分市場(chǎng)將面臨的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)較少，因
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鎧俠產(chǎn)能滿(mǎn)載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》4日訊，鎧俠產(chǎn)線(xiàn)稼動(dòng)率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲(chǔ)芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開(kāi)拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。據(jù)悉，鎧俠將開(kāi)始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲(chǔ)容量提高約50%，寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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NAND市場(chǎng)，激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對(duì)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢(shì)的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇，存儲(chǔ)巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類(lèi)型之分，
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND
鎧俠結(jié)束減產(chǎn)？?jī)勺鵑AND工廠(chǎng)開(kāi)工率提高至100%
- 據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，鑒于市場(chǎng)正在復(fù)蘇，日本存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個(gè)月的減產(chǎn)行動(dòng)，且貸方同意提供新的信貸額度。報(bào)道稱(chēng)，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠(chǎng)的生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進(jìn)行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應(yīng)對(duì)需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱(chēng)，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會(huì)繼續(xù)根據(jù)
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Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話(huà)稱(chēng)，2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對(duì)比，Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話(huà)說(shuō)，未來(lái)三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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