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          日研究團(tuán)隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

          •   日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù),GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實用化,將處于世界優(yōu)勢地位。   功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能,產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn),但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          2017誰將成為功率器件市場亮點?

          •   通信、汽車驅(qū)動市場增長,國有品牌競爭力提升   市場規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大,增速較2015年有所回升   2016年,中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn),增速有所加快,受此影響,中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,市場規(guī)模預(yù)計達(dá)到1496.1億元,同比增長7.2%,增速較2015年有所回升。   通信、汽車成為2016年市場增長亮點   從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來看,通信和汽車領(lǐng)域是推動功率器件市場增長的主要驅(qū)動力。   從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看,1-10月,我國生產(chǎn)手機(jī)17億部,同比增長19.9%,其中智能手機(jī)12
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

          技術(shù)路線圖指導(dǎo) 做強(qiáng)中國功率半導(dǎo)體

          • 在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動下,功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會、促進(jìn)國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  GaN  

          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

          •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機(jī)的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  GaN  

          手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

          •   充電和電池管理對智能手機(jī)來說,仍是關(guān)鍵的功能,未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用,我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用,提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案,以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求?! ∈袌鰧τ诟斐潆姇r間、更大電池容量和更小適配器的要求,把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
          • 關(guān)鍵字: 安森美  GaN  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用

          •   MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用  用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站,尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高,但是MACOM公司
          • 關(guān)鍵字: GaN  MACOM  

          無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

          •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域,商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵,則將緩步進(jìn)軍中功率市場。   可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備,為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過矽元件。   臺達(dá)電技術(shù)長暨總
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          松下:力推阻容元件與開發(fā)工具,開關(guān)器件X-GaN效率更高

          •   松下被動元件展區(qū),松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團(tuán)隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu),例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?! K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC,可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合?! ∷上录瘓F(tuán)汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator,可加速
          • 關(guān)鍵字: 松下  X-GaN  

          最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器

          •   實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。   該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz,支持芯片級設(shè)計,通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  GaN  

          半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET?

          • 2010年,供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價格也高昂不下,GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時間的推移,這些器件預(yù)計將逐步應(yīng)用到電動汽車、移動設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場上攻城拔寨。
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          如何應(yīng)對GaN測量挑戰(zhàn)

          • 功耗是當(dāng)今電子設(shè)計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領(lǐng)域之一。這是因為人們對高能效有強(qiáng)烈需求,希望能充分利用電池能量,幫助消減能源帳單,或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后,硅MOSFET發(fā)
          • 關(guān)鍵字: GaN    測試  

          中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

          •   中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日,中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林,廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生,市委副書記、市長梁維東,國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。   副市長楊曉棠,市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。   為廣東實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  GaN  
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          gan介紹

           GaN   即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料。 [ 查看詳細(xì) ]

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