隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。
Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall
透過臺積電以六寸晶圓廠的技術，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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Dialog GaN
德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現5G網路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...
下一代行動無線網路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現5G網路不可或缺的一種建構模組
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GaN 5G
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
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GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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GaN SiC
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
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GaN 藍光LED
當前，全球半導體產業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權。
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GaAs GaN
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統(tǒng)及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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GaN PFC
基于數十年的電源管理創(chuàng)新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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TI GaN
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。 GaN的優(yōu)勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
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安森美 GaN
英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。
利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。
相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍位移隨著驅動電流增加而
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GaN LED
英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果?！ ±迷贛-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！ ∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
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GaN LED
由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經宣布其實現互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。
在此過程中，該實驗室已經確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術鋪平了道路。
氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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GaN 場效應晶體管
第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產業(yè)和技術展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產業(yè)會越來越依賴新型功
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GaN 功率器件
gan介紹
GaN
即氮化鎵，屬第三代半導體材料。
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