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          物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠商?

          • 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點,VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題,VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革,而對于IoT可能帶來的更多變化,半導體廠商該如何應對?
          • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  GaN  

          第三代半導體崛起 中國照明能否彎道超車?

          •   近年,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發(fā)全球矚目,成為全球半導體研究前沿和熱點,中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出,第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會發(fā)展的基石,是推動節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式,提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定性因素之一,有著不可替代的支撐作用。那么,這一迅速崛起的第三代半導體材料,能否讓中國掌控新一輪半導體照明發(fā)展的話語權(quán)?        第三代半導體材料雙雄:SiC和GaN   半
          • 關(guān)鍵字: 半導體  GaN  

          Bulk Si技術(shù)近極限,功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

          •   DIGITIMES Research觀察,傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn),業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破,其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目,氮化鎵具有更高的切換頻率,碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓,而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢,預計未來功率半導體市場將三分天下。   更高的耐受溫度、電壓,或更高的切換頻率、運作頻率,分別適用在不同的應用,對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓,對于新一代的行動通訊基地臺,或資料中心機房設(shè)備而言
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          硅基GaN射頻功放:正走向大規(guī)模商用

          •   硅基GaN潛力大   近日,MACOM在京召開新聞發(fā)布會,MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人,“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN,由于成本大為降低,將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升,也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”   圖1 GaN的巨大潛力   如圖1,左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅,就變成右圖,右圖的綠餅是目前GaN的市場,而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
          • 關(guān)鍵字: GaAs  GaN  

          實時功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計方案

          •   簡介   功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù),由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢,這項技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中,我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制,并討論波形監(jiān)視的必要性。   使用壽命預測指標   功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
          • 關(guān)鍵字: GaN  

          氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

          •   當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時,都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出,電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙,可以進一步提高功率器件性能。        n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元   由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動,n型碳化硅基
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          氮化鎵元件將擴展功率應用市場

          •   根據(jù)YoleDeveloppement指出,氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。   Yole估計,2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間,這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長,預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。   目前銷售Ga
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  GaN  

          EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

          •   根據(jù)Yole Development預測,功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板,以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。   在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中,Yole Development指出,促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量

          •   目前,電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng),其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關(guān)為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器,其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。   各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量,利用它們的差和比
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  電流傳感器  

          GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

          •   1月出席DesignCon 2015時,我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講,談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
          • 關(guān)鍵字: GaN  EMI  

          英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會(APEC)

          •   英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前,英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺,包括服務器、電信設(shè)備、移動電源等開關(guān)電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量,這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。   英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示:“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合,結(jié)合公司了所
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  GaN  

          英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

          •   英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達成協(xié)議,將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu),與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下,松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定,兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止,沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合,雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。   作為新一代化合物半導體技術(shù),硅基板Ga
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  松下  GaN  

          TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

          •   近日,德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成,使之非常易于設(shè)計。如需了解更多信息,敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。   全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化,此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。   TI高壓電源
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

          英飛凌將與松下電器聯(lián)袂,雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

          •   英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達成協(xié)議,將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu),與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下,松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定,兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止,沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。   作為新一代化合物半導體技術(shù),硅基板Ga
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          英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術(shù)

          •  英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件,將松下的增強型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
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          gan介紹

           GaN   即氮化鎵,屬第三代半導體材料。 [ 查看詳細 ]

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