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          未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

          •   在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。   據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè),未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
          • 關(guān)鍵字: GaN  半導(dǎo)體  SiC  

          三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能

          •   因照明用LED需求大增,三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。   目前,三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板,生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸,月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。   而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平,有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸,所以,三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程,開(kāi)始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板,月產(chǎn)能為200-300片,并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施,開(kāi)始生產(chǎn)6寸GaN基板,將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
          • 關(guān)鍵字: LED  GaN  

          GaN類功率元件,高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

          • 采用Si基板降低成本,通過(guò)改變構(gòu)造改善特性那么,GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
          • 關(guān)鍵字: GaN類功率半導(dǎo)體  功率半導(dǎo)體  GaN  

          富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

          •   上海,2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
          • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器件  GaN  

          富士通明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器  GaN  

          功放為智能手機(jī)提供最佳效率

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 智能手機(jī)  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

          “主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

          科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)

          • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  放大器  GaN  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件(一)

          • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

          硅上GaN LED分析

          • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率,制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  分析    

          利用氬氣改善p型GaN LED的性能

          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

          • 在當(dāng)今社會(huì),DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō):英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

          • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
          • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

          • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái),LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
          • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

          硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

          • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器,紫外光探測(cè)器,...
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    
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          gan介紹

           GaN   即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料。 [ 查看詳細(xì) ]

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