high-na euv 文章進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)

中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī),后續(xù)還得解決這些問題…

　　據(jù)知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經(jīng)訂購了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。　　中芯國際的首臺(tái)EUV設(shè)備購自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML，價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在購買該設(shè)備，以確保
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2019年換機(jī)指南：手機(jī)芯片的重磅升級(jí)！

種種跡象表明，2018年將是移動(dòng)處理器、半導(dǎo)體等行業(yè)迎來轉(zhuǎn)折的一年，多種技術(shù)經(jīng)歷多年沉淀后會(huì)在今年完成應(yīng)用，然后在2019年爆發(fā)。
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可穿戴與IoT用DC/DC：如何實(shí)現(xiàn)納安級(jí)消耗電流？　

可穿戴等市場(chǎng)發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字：可穿戴 DC/DC 降壓型輕載 nA 201804

ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰(zhàn)

　　載具對(duì)于曝光機(jī)發(fā)揮保護(hù)、運(yùn)送和存儲(chǔ)光罩等功能十分重要。家登精密多年來致力于研究曝光機(jī)載具，并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。　　我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級(jí)，EUV的重要性逐漸凸顯出來，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過去幾年，家登精密一直專心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，這是一個(gè)值得自豪的成績(jī)。未來，7nm工藝逐漸向5nm升級(jí)，技術(shù)的研究會(huì)越來越困難
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三星7nm EUV工廠破土動(dòng)工：新驍龍將在這里誕生

2017年，三星在半導(dǎo)體事業(yè)中的投資達(dá)到了260億美元，創(chuàng)下歷史新高，這主要得益于其存儲(chǔ)芯片的巨大需求。
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臺(tái)積電要出售？張忠謀：不慌，價(jià)好就賣

在前段時(shí)間，臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀在即將退休的時(shí)候卻意外表示，其實(shí)中國臺(tái)灣地區(qū)的企業(yè)本來就不應(yīng)該死守，假如價(jià)錢夠好把臺(tái)積電賣掉也無妨。
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日媒：三星最高利潤(rùn)背后的危機(jī)感

　　韓國三星電子2017財(cái)年(截至2017年12月)合并營業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)下歷史新高，但其危機(jī)感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，營業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)83%，其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬億日元，顯著依賴市場(chǎng)行情，因此危機(jī)感增強(qiáng)。3大主要部門面臨著半導(dǎo)體增長(zhǎng)放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)導(dǎo)下，將智能手機(jī)和電視機(jī)的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財(cái)年將成為試金石。　　三星整體的營業(yè)利潤(rùn)為53.65萬億韓元，時(shí)隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中，半導(dǎo)體部門的服務(wù)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)銷量堅(jiān)挺，
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EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰(zhàn)

　　EUV微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。　　極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì)(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
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4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET

　　晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來似乎較占上風(fēng)。　　Android Authority報(bào)導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長(zhǎng)更短的EUV，才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì)率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競(jìng)
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?沒有EUV 半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢(mèng)就「難產(chǎn)」？

一時(shí)之間，仿佛EUV成為了衡量中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的標(biāo)桿，沒有EUV就無法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢(mèng)？
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EUV或?qū)Q定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向，通快加緊布局

　　近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時(shí)重點(diǎn)提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。他認(rèn)為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對(duì)世界的重要影響。　　Peter Leibinger 　　“如果我們無法實(shí)現(xiàn)EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運(yùn)作方式。” 　　什么是EUV? 　　極紫外光刻(Ex
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EUV面臨的問題和權(quán)衡

　　新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運(yùn)行時(shí)間仍然存在問題。　　Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù)，但這個(gè)談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前，仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。　　EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段。　　如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺(tái)積電相互競(jìng)爭(zhēng)，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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Brewer Science 為領(lǐng)先制造廠商提供關(guān)鍵性的半導(dǎo)體材料

　　Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺(tái)灣半導(dǎo)體制造趨勢(shì)的見解，內(nèi)容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟?！　〗袢盏南M(fèi)性電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)、高效能運(yùn)算 (HPC) 和汽車應(yīng)用皆依賴封裝為小型尺寸的半導(dǎo)體裝置，其提供更多效能與功能，同時(shí)產(chǎn)熱更少且操作時(shí)更省電。透過摩爾定律推動(dòng)前端流程開發(fā)，領(lǐng)先的代工和整合組件制造商(IDM
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張忠謀：臺(tái)積電南京廠明年下半量產(chǎn)

　　臺(tái)積電(2330)南京廠今日上午正式舉行進(jìn)機(jī)典禮，由董事長(zhǎng)張忠謀親自主持，大陸中央及地方貴賓云集，顯示對(duì)臺(tái)積電南京投資案重視。　　海思及聯(lián)發(fā)科將是首批客戶　　張忠謀表示，大陸集成電路在中國制造，臺(tái)積電可助一臂之力。南京廠預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn)，陸媒預(yù)估中國海思及聯(lián)發(fā)科(2454)將是首批客戶。　　工程師已陸續(xù)由臺(tái)灣進(jìn)駐　　今年上半年臺(tái)積電工程師已經(jīng)陸續(xù)由臺(tái)灣進(jìn)駐南京廠協(xié)助建廠事宜，8月16奈米大型機(jī)臺(tái)陸續(xù)透過華航包機(jī)，由臺(tái)灣運(yùn)往南京祿口機(jī)場(chǎng)，而南京市政府為了迎接重量級(jí)貴賓，加快浦口
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臺(tái)積30周年：半導(dǎo)體八巨頭將同臺(tái)，庫克沒來

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電將在今年10月23日盛大舉辦「臺(tái)積公司30周年慶」論壇，以及于國家音樂廳舉辦音樂會(huì)。臺(tái)積電30周年慶活動(dòng)將由當(dāng)天下午舉行的半導(dǎo)體論壇揭開序幕，由董事長(zhǎng)張忠謀親自主持，將邀請(qǐng)包括高通、博通、輝達(dá)(NVIDIA)、ADI、ASML、ARM、蘋果等重量級(jí)客戶及合作伙伴，與張忠謀一起暢談半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來10年展望。　　臺(tái)積電今年歡度30周年，活動(dòng)當(dāng)天將盛大舉辦「臺(tái)積公司30周年慶」論壇，由董事長(zhǎng)張忠謀親自主持，與談人包括了NVIDIA執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛、高通執(zhí)行長(zhǎng)Steve Mollenko
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