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繼電器相關(guān)技術(shù)文獻及應(yīng)用電路設(shè)計匯總
- 繼電器是一種電控制器件，是當輸入量(激勵量)的變化達到規(guī)定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關(guān)系。通常應(yīng)用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。 極限條件下的時間繼電器設(shè)計方案 時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
- 關(guān)鍵字： PIC18F6585 MOSFET
Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125°
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應(yīng)商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設(shè)計裕量成
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導通電阻和多種可選封裝
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設(shè)計的電路板空間。 800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應(yīng)用的理想之選
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
一種軟啟動與防反接保護電路
- 摘要：在很多消費電子設(shè)備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數(shù)的設(shè)計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設(shè)計復(fù)雜。本設(shè)計提出一種設(shè)計方法，同時實現(xiàn)軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。 軟啟動與防反接保護電路對電子設(shè)備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關(guān)機的應(yīng)用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設(shè)計的復(fù)雜性，很多設(shè)計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設(shè)計復(fù)雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
- 關(guān)鍵字： 保護電路 軟啟動 繼電器 MOSFET 反接電路 二極管 201503
一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動電源的設(shè)計
- 摘要：本文針對傳統(tǒng)驅(qū)動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設(shè)計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動電源。本文選擇了多級驅(qū)動方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設(shè)計，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節(jié)能減排的效果。 引言 由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
- 關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503
意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應(yīng)用帶來寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢
- 意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。 意法半導體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領(lǐng)導廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SCT20N120 MOSFET
哪一個更簡單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？
- 我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復(fù)雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設(shè)計全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復(fù)雜，還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。 熱插拔電路使用一個功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET 熱插拔控制器
德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻
- 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現(xiàn)了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計，敬請訪問：www.ti.co
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Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動器提升轉(zhuǎn)換效率
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅(qū)動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關(guān)時間，有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。 新驅(qū)動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動電流
- 關(guān)鍵字： Diodes 驅(qū)動器 MOSFET
Exar推出通用PMIC輸入電壓高達40V,適合任何FPGA，SoC或DSP
- 領(lǐng)先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門極驅(qū)動和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過I2C總線實時監(jiān)測電源狀態(tài)，動態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時序控制，以加速電源系統(tǒng)設(shè)計。 XRP77129使用Exar設(shè)計工具P
- 關(guān)鍵字： MOSFET SMBus LDO
封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？
- I.引言 高效率已成為開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)低導通電阻，以降低開關(guān)損耗和導通損耗。這些快速開關(guān)器件容易觸發(fā)開關(guān)瞬態(tài)過沖。這對SMPS設(shè)計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關(guān)瞬態(tài)過沖，設(shè)計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關(guān)速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關(guān)損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關(guān)器件，總是存在效率與易用性的
- 關(guān)鍵字： 寄生電感 MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
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