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          Gartner:2016年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)2.6%

          •   全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購(gòu)潮的影響下,前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率。  Gartner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫(kù)存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強(qiáng),定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國(guó)亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)

          •   “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器,通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序,以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事,因此電腦可以了解周圍的世界,成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。   在我們的上一篇文章中,我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中,將推動(dòng)NAND銷售,從而使Micron的利潤(rùn)得以增加。 本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
          • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  NAND  

          東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化?韓媒:三星最受惠

          •   東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè),但競(jìng)標(biāo)者眾、過程冗長(zhǎng),如此一來(lái),韓國(guó)廠商反倒會(huì)成為最大受惠者?   韓聯(lián)社 24 日?qǐng)?bào)導(dǎo),Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出,東芝的 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器投資計(jì)劃勢(shì)必將因此延后,這會(huì)讓供給短缺更形惡化,也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。   美國(guó)硬盤機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

          中國(guó)必須建設(shè)自主存儲(chǔ),為什么?

          • 在即將到來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)的世界里,NAND的應(yīng)用會(huì)非常廣泛,作用也會(huì)愈發(fā)重要,出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會(huì)用到NAND。
          • 關(guān)鍵字: NAND  長(zhǎng)江存儲(chǔ)  

          東芝是大股東的群聯(lián)董事長(zhǎng):東芝芯片會(huì)賣給日資

          •   東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親,包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿,東芝是群聯(lián)大股東,對(duì)于東芝內(nèi)存出售案,但長(zhǎng)期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成分析,東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結(jié)果,將會(huì)由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下,仍會(huì)維持原有東芝控制權(quán),再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。   潘健成強(qiáng)調(diào),東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣,東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體,而且東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù),引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè),因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

          傳三星今年資本支出較去年增長(zhǎng)85.6%達(dá)219.5億美元

          •   三星登上全球半導(dǎo)體龍頭,不惜砸重金投入研發(fā),傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。   新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè),三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元),較 2016 年成長(zhǎng) 85.6%,且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。   存儲(chǔ)器目前供不應(yīng)求,也是三星今年布局的重點(diǎn),預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測(cè),光是 NAND 快閃存儲(chǔ)器,三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND   

          3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

          •   DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無(wú)論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。   3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  3D NAND  

          日美“卡脖子” 國(guó)產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功?

          •   小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來(lái)知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來(lái)就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來(lái)?yè)v亂,豈不是折騰人嗎?   上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎?   其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。   前不久,美國(guó)
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  NAND  

          吹牛必備常識(shí)之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

          • 華為P10“閃存門”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購(gòu)買P10手機(jī)后,經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn),華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測(cè)試結(jié)果顯示,有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒,而根據(jù)網(wǎng)上公布的評(píng)測(cè)參數(shù)來(lái)看,以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測(cè)試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  UFS  eMMC  

          關(guān)于嵌入式閃存,你所不了解的那些事兒

          •   多年來(lái),汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知,汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過300億美元,而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升,這一數(shù)字還將不斷上升。目前,每輛豪華車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為1000美元,而中檔車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為350美元,汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車MCU具有片上嵌入式閃存,其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中,并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  閃存  

          閃存事件雖尷尬 華為卻在美國(guó)再次擊退韓國(guó)企業(yè)專利訴訟圍剿

          •   在對(duì)待用戶方面,華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是,在硬碰硬的訴訟較量方面,華為又有很多值得其他企業(yè)效仿之處——不輕言放棄。   前段時(shí)間爆出的P10“內(nèi)存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實(shí)粉絲大跌眼鏡。   從法律上看,華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法,但是,其在澄清說明相關(guān)做法時(shí),又顯得脫離用戶。   使得疑問變質(zhì)疑最終可能
          • 關(guān)鍵字: 華為  閃存  

          2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密

          •   國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額),但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始全速狂飆。   近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作,因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND  

          紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷

          •   國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額),但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始全速狂飆。   近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。   對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作,因?yàn)榇?/li>
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND  

          韓國(guó)3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)

          •   市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示,到今年三季度,三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過50%。   閃存是指在斷電情況下仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體,主要用于智能手機(jī)等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上,增加了回路垂直排列,大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市,三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND,SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
          • 關(guān)鍵字: NAND  SK海力士  

          新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

          •   內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過,由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢,且讀寫次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性   根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  NAND  
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          nand 閃存介紹

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