nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體：創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”
- 面對(duì)全球信息化加速發(fā)展，以電子信息為代表的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長態(tài)勢。2016年陜西實(shí)現(xiàn)了新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長，全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過700億元，同比增長50%以上，其中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟(jì)發(fā)展上實(shí)現(xiàn)“彎道超車”?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動(dòng)作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。 西安高新區(qū)：聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)轉(zhuǎn)型升級(jí) 近年來
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全球3D NAND大軍技術(shù)對(duì)決 下半年產(chǎn)出可望大增
- 2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時(shí)代。 三星在2
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價(jià)格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
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賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術(shù)的55納米低功耗閃存產(chǎn)品
- 全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司與中國最先進(jìn)的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對(duì)藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對(duì)低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用的
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乘上存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮 美光Q2業(yè)績超預(yù)期
- 北京時(shí)間3月24日上午消息，由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格上升，美光科技預(yù)計(jì)當(dāng)前季度的營收和利潤遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財(cái)季利潤也超出分析師預(yù)期，促使其股價(jià)在周四盤后交易中大漲9.4%。 由于各大企業(yè)都在爭相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應(yīng)瓶頸，但與此同時(shí)，智能手機(jī)、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求卻在飆升，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級(jí)周期”。 美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價(jià)21%，此前一個(gè)季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。 市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
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長江存儲(chǔ)3D閃存各項(xiàng)指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲(chǔ)芯片基地，隨后
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