我們獲取和存儲數(shù)據(jù)的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來半導體行業(yè)出現(xiàn)并購潮的原因所在。
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半導體 NAND
陶氏電子材料是陶氏化學公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進半導體裝置。
全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數(shù)先進電子裝置的性能需求。
「生產先進半導體晶圓
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陶氏 NAND
經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區(qū)內看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產步伐。
去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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英特爾 NAND
NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。
市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產品銷售強勁，產品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產品在1個月內漲幅超過2成。
市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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NAND DRAM
因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發(fā)價在1個月期間內飆漲22%。
報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報道，東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存，比三星多三分之一!
7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產48層堆疊閃存，并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內量產。
這種閃存的成本和價格會比較高，但是因為容量可以做的更大，平均價格反而會更便宜，可用于從智能手機、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領域，初期主要供應持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
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東芝 閃存
目前，越來越多的智能手機廠商，開始大幅度提高手機閃存的容量，市場對于閃存的需求和技術要求越來越高。據(jù)悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術上存在激烈競爭，而東芝領先了一局，該公司即將大規(guī)模生產3D閃存。
手機內存越配越高
據(jù)日本經(jīng)濟新聞周六報道，本財年內(明年三月底之前)，東芝公司將會投產最新一代的3D閃存，這將領先于閃存老對手三星電子。
眾所周知的是，東芝因為財務丑聞，公司運營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據(jù)技術優(yōu)勢的閃存業(yè)務，能夠提振全公司的表現(xiàn)。
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東芝 閃存
據(jù)海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。
64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
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東芝 NAND
有關中國半導體業(yè)發(fā)展的討論已經(jīng)很久了，似乎路徑已經(jīng)清晰，關鍵在于執(zhí)行，以及達成何種效果。受現(xiàn)階段產業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場化的因素尚在，產業(yè)的波浪式前進似乎不可避免，中國半導體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進。
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半導體 NAND
備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。
圖1：三星T3 2TB S
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三星 V-NAND
東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經(jīng)、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產能與技術優(yōu)勢。
三星已自2013年下半起陸續(xù)量產24層、32層
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三星 3D NAND
三星公司已經(jīng)開始量產其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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三星 V-NAND
韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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3D NAND 半導體
nand 閃存介紹
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