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          采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集

          • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積
          • 關(guān)鍵字: IMEC  SiC  生物電信號(hào)采集    

          世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)成。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  半導(dǎo)體  SiC  

          用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹

          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
          • 關(guān)鍵字: VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算    

          用SiC撬動(dòng)新能源、汽車電子新興市場(chǎng)

          • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域,很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來,并積極投身其中,在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國(guó)SiCrystal公司之后,羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系,并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn),羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  太陽能  SiC  

          20W-50W單端FET純甲類功放的設(shè)計(jì)制作

          • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標(biāo),就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn),單端純甲類功放,音質(zhì)醇厚,偶次 ...
          • 關(guān)鍵字: 單端  FET  甲類  功放  

          與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路

          • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí),但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí),
          • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

          隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)

          • 隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級(jí)聯(lián)功率級(jí)一般都含有大量功率 ...
          • 關(guān)鍵字: 隔離式  FET  脈沖驅(qū)動(dòng)器  

          使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理

          • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時(shí),通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
          • 關(guān)鍵字: FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路    

          保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

          • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中,各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power FET,功率FET),被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路,連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損,致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
          • 關(guān)鍵字: RTP器件  FET  

          瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

          • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管,組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  功率器件  SiC  

          科銳推出芯片型碳化硅功率器件

          • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統(tǒng)硅器件相比,可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  

          通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

          •  在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著的提高,重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn),設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到,AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?! C/DC平均系統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì),由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn),從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

          羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng),開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

          用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

          • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
          • 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  
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          sic fet介紹

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