- 摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。
近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。
各種功率器件的比較
功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
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SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
- 第一代半導體材料Si點燃了信息產業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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LED SiC MOSFET
- 近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內部印制電路板所需搭載的半導體器件數大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。
談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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ROHM 半導體 SiC
- 矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所)
2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)
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SiC 功率半導體
- 三菱電機開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關動作的工業(yè)設備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。
據介紹，新產品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設備，尤其適合經常采用高開關頻率的醫(yī)療設備用電源。新產品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
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SiC 醫(yī)療設備
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
- 美國阿肯色大學研究人員已經設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅動器、控制器和其他模擬與數字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經常在極限溫度下運行。
阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
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SiC 集成電路
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
- 美國設計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設備......
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SiC 集成電路
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品?！ ≌故井a品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據市場研究機構Yole Développement預計，從201
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美高森美 MOSFET SiC
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產品的經銷協(xié)議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產品在中國市場大范圍推廣?！ ≈Z衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術與 CISSOID 的技術及其產品組合完美結合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關專用的隔離式柵極驅動器HADES 技術;高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調節(jié)器?！ ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
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CISSOID 諾衛(wèi)卡 SiC
- 摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。
前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質量高些。
對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
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FET 場效應管 功率放大器
- 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。
為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數眾多的這種汽車已經開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
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P-FET MOSFET
- 2014年慕尼黑上海電子展產品亮點 TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術是以PLZT陶瓷材料為基礎(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法?！ eraLink?新技術在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢-特別與傳統(tǒng)電容器技術相比：由于該款新電容
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TDK 電容器 CeraLink SiC
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