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          LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起

          •   第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群,促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生,95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。        目前全球40%能量作為電能被消耗,而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限,難以滿足當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
          • 關(guān)鍵字: LED  SiC  MOSFET  

          ROHM:國(guó)際半導(dǎo)體巨頭的“小”追求和“低”要求

          •   近年來,隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛,智能手機(jī)、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設(shè)備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設(shè)備的微型化,設(shè)備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導(dǎo)體器件數(shù)大幅提升,而在性能不斷提升的同時(shí),質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求,對(duì)電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求,各個(gè)領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向,也是將來的趨勢(shì)。   談到元器件的小型化,我們就不得不提為此作
          • 關(guān)鍵字: ROHM  半導(dǎo)體  SiC  

          SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢(shì)

          •   矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。   全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處:矢野經(jīng)濟(jì)研究所)   2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng),但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。   預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng),2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè),2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率半導(dǎo)體  

          SiC對(duì)醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇,三菱電機(jī)展示高頻功率模塊

          •   三菱電機(jī)開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關(guān)動(dòng)作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊,并在7月23~25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管),從2014年5月開始樣品供貨。   據(jù)介紹,新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備,尤其適合經(jīng)常采用高開關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種,耐壓均為1200V,額定電流為100A~600A不等。通過采
          • 關(guān)鍵字: SiC  醫(yī)療設(shè)備  

          東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

          •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?! BD適合各種應(yīng)用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?! iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行,即便是在高電壓
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SBD  SiC  

          美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

          •   美國(guó)阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)提供資助,研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動(dòng)器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能,因?yàn)樗羞@些應(yīng)用場(chǎng)合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運(yùn)行。   阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授Alan Mantooth說,“堅(jiān)固性允許這些電路被放置在標(biāo)準(zhǔn)硅基電路部件無法工作的地方。我們?cè)O(shè)計(jì)了性能優(yōu)越的信號(hào)處理電路模
          • 關(guān)鍵字: SiC  集成電路  

          東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

          •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。  SBD適合各種應(yīng)用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?! iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行,即便是在高電壓
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SBD  SiC  

          美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

          • 美國(guó)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C 時(shí)工作的集成電路,該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運(yùn)行的航空航天設(shè)備......
          • 關(guān)鍵字: SiC  集成電路  

          東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

          •   日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕,東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?! ≌故井a(chǎn)品簡(jiǎn)介:  1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)  東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強(qiáng)”(IE:Inject
          • 關(guān)鍵字: 東芝  IEGT  SiC  

          美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

          •   致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用,包括用于太陽能逆變器、電動(dòng)汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案?! ∶栏呱罁碛欣肧iC半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的良好條件,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì),從201
          • 關(guān)鍵字: 美高森美  MOSFET  SiC  

          耐高溫半導(dǎo)體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎

          •   日前,CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議,后者將會(huì)幫助CISSOID公司的高溫半導(dǎo)體產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)大范圍推廣。  諾衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起,形成獨(dú)一無二的競(jìng)爭(zhēng)力。例如:SiC 電源開關(guān)專用的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號(hào)調(diào)節(jié)器?! ISSOID公司營(yíng)銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示,為保
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  諾衛(wèi)卡  SiC  

          基于場(chǎng)效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計(jì)

          • 摘要:用場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)出有膽味的音頻功率放大器。前級(jí)采用單管、甲類,后級(jí)采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實(shí)驗(yàn)證明差分放大器使用的對(duì)管的一致性與整機(jī)的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看,末級(jí)電流200mA是理想值。 前后級(jí)間耦合電容對(duì)聽音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對(duì)于音頻功率放大器而言,最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果,由集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的前級(jí)聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級(jí)采用單管甲類放大器,后級(jí)采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
          • 關(guān)鍵字: FET  場(chǎng)效應(yīng)管  功率放大器  

          用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

          • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源,不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī),當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: P-FET  MOSFET  

          電容器

          •   2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)  TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸),使用的容值范圍為1?微法?至100?微法,額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏,容值為5?微法?! eraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比:由于該款新電容
          • 關(guān)鍵字: TDK  電容器  CeraLink  SiC  

          新電源模塊如何解決關(guān)鍵設(shè)計(jì)問題

          • 新型靈活應(yīng)用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進(jìn)了對(duì)更高功率電源的要求,以及由于需要快速實(shí)現(xiàn)收入的壓力迫使設(shè)計(jì)人員縮短開發(fā)周期,從而對(duì)全功能、快速實(shí)現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢(shì)。電源模塊可以解決這些問題,并提供系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
          • 關(guān)鍵字: 新電源  FET  ISL8225  
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