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集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器
- 當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時，線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 bq241xx系列開關(guān)充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
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車載SiC功率半導(dǎo)體前景光明 逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化
- 豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中，談到了對應(yīng)用于車載的SiC功率半導(dǎo)體的期待。為了在“本世紀(jì)10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導(dǎo)體，將有助于逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化。 在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用是許多SiC半導(dǎo)體廠商瞄準(zhǔn)的目標(biāo)，但多數(shù)看法認(rèn)為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及民用設(shè)備上配備，在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導(dǎo)體的日期，但表示“到本世紀(jì)10年代前
- 關(guān)鍵字： 汽車電子 豐田 SiC 半導(dǎo)體 汽車電子
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動器多芯片模塊
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應(yīng)用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用，F(xiàn)DMF6700為設(shè)計人員提供別具吸引力的解決方案。 在個人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個相位可能包含：采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 飛兆 DrMOS FET 模塊
京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)
- 京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產(chǎn)型SiC（碳化硅）外延膜生長試制裝置”，確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實用化邁出了一大步。目前，三家已經(jīng)開始使用該裝置進行功率半導(dǎo)體的試制，面向混合動力車的馬達控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠商供應(yīng)工程樣品，并獲得了好評”。 此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 消費電子 京大 SiC 外延膜 消費電子
功率P-FET控制器LTC4414
- LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動切換，也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅(qū)動大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護；可采用微控制器進行控制或采用手動控制；節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列 引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
- 關(guān)鍵字： LTC4414 P-FET 電源技術(shù) 工業(yè)控制 模擬技術(shù) 工業(yè)控制
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