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sic fet 文章進(jìn)入sic fet技術(shù)社區(qū)

20W-50W單端FET純甲類功放的設(shè)計(jì)制作

音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標(biāo)，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
關(guān)鍵字：單端 FET 甲類功放

與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路

電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
關(guān)鍵字： VOO 檢驗(yàn) 電路 VP FET 結(jié)合使用萬(wàn)用表

隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)

隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級(jí)聯(lián)功率級(jí)一般都含有大量功率 ...
關(guān)鍵字：隔離式 FET 脈沖驅(qū)動(dòng)器

使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理

電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
關(guān)鍵字： FET 結(jié)型電壓控制放大器電路

保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
關(guān)鍵字： RTP器件 FET

瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：瑞薩電子功率器件 SiC

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。
關(guān)鍵字：科銳 SiC MOSFET

通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。　　AC/DC平均系統(tǒng)
關(guān)鍵字：改善能量效率開(kāi)關(guān) FET 優(yōu)化變換器通過(guò)

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關(guān)鍵字：羅姆 SiC MOS

羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關(guān)鍵字：羅姆 SiC

用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
關(guān)鍵字：射頻開(kāi)關(guān) 隔離度插損 FET pHEMT

羅姆半導(dǎo)體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動(dòng)力

據(jù)羅姆中國(guó)營(yíng)業(yè)本部村井美裕介紹，面對(duì)未來(lái)的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
關(guān)鍵字：羅姆 SiC LED

Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介　　一提到電源設(shè)計(jì)，大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭，他們往往會(huì)問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲骸⑸龎?、flyback、半橋和全橋等。
關(guān)鍵字： intersil FET DC/DC

富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

　　富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。　　
關(guān)鍵字：富士電機(jī) SiC

SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

引言　　隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展，功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 分析模塊功率放大器寬帶 SiC

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基于FET的100W功率音頻放大器電路圖
基于FET的100W音頻放大器電路圖
用于 SiC 解決方案設(shè)計(jì)的模塊化評(píng)估平臺(tái)
高速FET輸入儀表放大器電路圖

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