sic-mosfet 文章 進入sic-mosfet技術社區(qū)
采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器
- 設計要點 DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應用，無電感型開關電容器轉換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統(tǒng)降壓或升壓拓撲可顯著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過采用充電泵取代電感器，一個 “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護、柵極驅動和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn)，所以充電泵傳統(tǒng)上一直局限于低功率應用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問題，可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
- 關鍵字： MOSFET
在可再生能源應用的逆變器設計中使用SPWM發(fā)生器
- 可再生能源仍然是世界范圍內的大趨勢。隨著捕獲風能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上，2016年，全球對可再生能源的資本投資跌到了多年來最低水平，但是卻創(chuàng)下了一年內可再生能源設備安裝數量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中，逆變器是一項尤其關鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數可再生能源都是通過直流電（DC）產生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉換為交流電（AC）以有效整合到現有電網中起著關鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統(tǒng)和微電
- 關鍵字： PWM AC DC MOSFET SPWM
采用具有驅動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
- 引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。功率元器件傳統(tǒng)封裝形式帶來的開關性能限制TO-247N（圖1）是應用最廣泛的功率晶體管傳統(tǒng)封裝形式之一。如圖1左側所示，
- 關鍵字： MOSFET
Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
- 關鍵字： MOSFET
Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
- 關鍵字： MOSFET
哪些應用和技術會成為2021的熱點
- 全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個充滿挑戰(zhàn)的新環(huán)境，疫情加速了許多本來就在進行的趨勢，所有趨勢都潛藏著一個一致的主題，那就是彈性?；ヂ摼W的應用比以前有了更大的發(fā)展和進步。有很多人在網上訂購生活必需品送貨上門，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂幾乎超出了預期，被迫學習和適應相關的工具。幸運的是，通信和信息網絡的基礎設施已做出了令人難以置信的反應，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態(tài)。網絡使用量的增長刺激了對這一關鍵基礎設施的投資力度，5G基礎設施加速部署，云計算數據中心
- 關鍵字： MOSFET Wi-Fi 6 202101
ROHM開發(fā)出實現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調等消費電子產品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產品作為ROHM擁有豐碩市場業(yè)績的Pch MOSFET產品，采用了第五代新微米工藝，實現了業(yè)界超低的單位面積導通電阻*3。－40
- 關鍵字： MOSFET
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能
- 半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統(tǒng)應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。 在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
- 關鍵字： Nexperia AEC-Q101 MOSFET
簡化汽車車身電機控制器設計，快速實現輕量化
- 無論是調整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開行李箱，車身電子設備系統(tǒng)都可使用電機來提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）控制這些應用的電動裝置。但將MOSFET用作開關給電子控制模塊設計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應、斷電制動以及診斷與保護）帶來了新的技術性挑戰(zhàn)。德州儀器開發(fā)的集成電路（IC）電機驅動器產品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰(zhàn)，同時減小解決方案尺寸并縮短開發(fā)時間。本文中，我們將討論可幫助應對這些設計挑戰(zhàn)、集成到電機驅動集成電路中
- 關鍵字： MOSFET
SiC在電動汽車的功率轉換中扮演越來越重要的角色
- 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先，中國的電動化發(fā)展速度很快，中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛，而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡，沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術遺產”問題。相比歐美，新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國，功率轉換系統(tǒng)在汽車中的應用非常廣泛，這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產品部大眾市場業(yè)務拓展負責人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
- 關鍵字： 新能源汽車 SiC
照明的光明未來
- 要有（電）燈！但誰負責點亮呢？有許多人聲稱自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點鋪平了道路。我們可能無法查明確切的“發(fā)現”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛迪生（Thomas Edison）申請了第一個商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專利[[1]]。除了細絲材料的微小改進，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時起直到最近基本上一直在使用愛迪生的古老技術。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質量的照明。但在過去的一二十年中，照明技術發(fā)生了根本性的變化，在大多數住宅和商業(yè)設施中
- 關鍵字： MOSFET
三安集成完成碳化硅MOSFET量產平臺打造，貫通碳化硅器件產品線
- 中國化合物半導體全產業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產品已完成研發(fā)并通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
- 關鍵字： 三安集成 碳化硅 MOSFET
sic-mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic-mosfet相關帖子
sic-mosfet資料下載
sic-mosfet專欄文章
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473