sic-mosfet 文章進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)

Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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功率MOSFET的參數(shù)那么多，實際應(yīng)用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來越廣。結(jié)果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時候，收益遞減
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減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換時要謹(jǐn)慎

開關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開關(guān)瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關(guān)模式電源中的開關(guān)損耗。尤其是在高開關(guān)頻率時，可以大幅提高開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開關(guān)轉(zhuǎn)換也會帶來一些負(fù)面影響。開關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關(guān)模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開關(guān)模式電源進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換，在開關(guān)節(jié)點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ST進(jìn)軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個產(chǎn)品只能針對某一類小應(yīng)用/小客戶的需
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ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體開辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
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Diodes公司推出微型車用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域，可在直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應(yīng)用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標(biāo)
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科銳宣布與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

近日，科銳宣布與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
關(guān)鍵字：科銳德爾?？萍?/a> SiC

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個市場規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用?！　〔贿^，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
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針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器

中國，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計簡單的優(yōu)點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件，即可實現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護(hù)功能，MOSFET包含一個用于過溫保護(hù)的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓?fù)?，包括原邊或?/li>
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SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競爭
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華為強力掃貨　手機、服務(wù)器用MOSFET急單聲聲催

中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒，華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應(yīng)鏈緊急備貨，熟悉功率元件業(yè)者透露，除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應(yīng)鏈以及臺系邏輯IC供應(yīng)體系外，瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎(chǔ)元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器；耐受性；隔離? ? &nb
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