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碳化硅發(fā)展勢頭強(qiáng) 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機(jī)會，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)
- 關(guān)鍵字： SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用
- 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
- 關(guān)鍵字： SiC WBG
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴(kuò)展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機(jī)驅(qū)動的電動機(jī)制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴(kuò)展
- 關(guān)鍵字： SiC IPM
電機(jī)的應(yīng)用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機(jī)的應(yīng)用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關(guān)鍵詞：電機(jī)；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機(jī)的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域，電器的 智能化需要電器對人機(jī)交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機(jī)器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
- 關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) BLDC MCU SiC IPM
工業(yè)電機(jī)用功率半導(dǎo)體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機(jī)正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機(jī)；工業(yè)電機(jī)需要更高能效的電機(jī)，同時 需要強(qiáng)固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機(jī)。 關(guān)鍵詞：電機(jī)；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機(jī)產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機(jī)類型的 商機(jī)感到興奮，并非常看好無刷直流電機(jī)(BLDC)應(yīng)用 （例如電動工具），
- 關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
- 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。
- 關(guān)鍵字： 儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封裝
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器
- 在本文中，我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
- 關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨特的NextPowerS3技術(shù)實現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
- 關(guān)鍵字： 安世半導(dǎo)體 MOSFET RDS(on)
Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。
- 關(guān)鍵字： SiR680ADP MOSFET Vishay
羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
- 近日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官（CEO） Jean-Marc Chery 說：
- 關(guān)鍵字： SiC 車載
Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
- 關(guān)鍵字： MOSFET N溝道
使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200 V SiC電源模塊
- 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅(qū)動能
- 關(guān)鍵字： DC/DC SiC
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