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Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間
- Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點，有利于使用負(fù)載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)?，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
- 關(guān)鍵字： MOSFET PoL
東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動器開關(guān)IPD
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān)，這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時還提供免維護功能。通過提供增強功能（自我保護功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
- 關(guān)鍵字： 柵極驅(qū)動器 MOSFET IPD ECU
采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用
- 英飛凌科技股份公司進一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產(chǎn)品陣容?，近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力，可針對要求高效率的高功率密度應(yīng)用提供增強的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用，包括電動工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅(qū)動裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項，有助于選擇應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外，
- 關(guān)鍵字： 電池 MOSFET
NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適合汽車應(yīng)用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求
- 關(guān)鍵字： Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用，包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
- 關(guān)鍵字： ?Nexperia MOSFET
科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應(yīng)用創(chuàng)新
- 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
- 關(guān)鍵字： 科銳 650V MOSFET 電動汽車
碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模 式
- 關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)
- 關(guān)鍵字： SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用
- 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性。快速本征二
- 關(guān)鍵字： SiC WBG
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
- 關(guān)鍵字： SiC IPM
電機的應(yīng)用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機的應(yīng)用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關(guān)鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類電機在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
工業(yè)電機用功率半導(dǎo)體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。 關(guān)鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應(yīng)用 （例如電動工具），
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
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