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滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
- 世紀金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！ ≈饕獞?yīng)用 w高效服務(wù)器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組 w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網(wǎng) w航空航天 SiC MOSFET系列 產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車 MOSFET
集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！ 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
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碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
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貿(mào)澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET
- 專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設(shè)計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度?！ ≠Q(mào)澤電子供應(yīng)的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標 (FOM)?！ ishay
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性
- Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MOSFET
Vishay業(yè)界領(lǐng)先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！ ishay亞
- 關(guān)鍵字： Vishay 轉(zhuǎn)換器 MOSFET
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌。 該聯(lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)。 近年來，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
- 關(guān)鍵字： 北汽新能源 羅姆半導體 SiC
意法半導體高效超結(jié)MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓撲
- 意法半導體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設(shè)計?！ ♂槍涢_關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關(guān)頻率，這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?！ 〈送?，意法半導體最先進的M6超結(jié)技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MOSFET
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