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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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占空比的上限

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器使用占空比來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓或電流反饋控制。占空比是指導(dǎo)通時(shí)間(TON)與整個(gè)周期時(shí)長(zhǎng)（關(guān)斷時(shí)間(TOFF)加上導(dǎo)通時(shí)間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準(zhǔn)確的計(jì)算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說(shuō)明中，這些并不是決定性因素。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的占空比由各自的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器拓?fù)錄Q定。降壓型（降壓）轉(zhuǎn)換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對(duì)于升壓型（升壓）轉(zhuǎn)換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)。在這個(gè)模式下，電感電流在時(shí)間段T
關(guān)鍵字： CCM TON MOSFET

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))可實(shí)現(xiàn)更高的電流操作，從
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應(yīng)用筆記140 - 第3/3部分：開(kāi)關(guān)電源組件的設(shè)計(jì)考慮因素

開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)化一般來(lái)講，開(kāi)關(guān)頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進(jìn)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。但是，開(kāi)關(guān)頻率更高也意味著與交流相關(guān)的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來(lái)限制熱應(yīng)力。目前，對(duì)于 ≥10A的輸出電流應(yīng)用，大多數(shù)降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。對(duì)于<10A的負(fù)載電流，開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)幾MHz。每個(gè)設(shè)計(jì)的最優(yōu)頻率都是通過(guò)仔細(xì)權(quán)衡尺寸、成本、效率和其他性能參數(shù)實(shí)現(xiàn)的。輸出電感選擇在同步降壓轉(zhuǎn)換器中，電感峰峰值
關(guān)鍵字： MOSFET DCE ESR MLCC

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準(zhǔn)

增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應(yīng)用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開(kāi)關(guān)和諧振式）和面向全自動(dòng)駕駛汽車、機(jī)械人及無(wú)人機(jī)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導(dǎo)
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應(yīng)用筆記140 第2/3部分 - 開(kāi)關(guān)模式電源基礎(chǔ)知識(shí)

為何使用開(kāi)關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開(kāi)關(guān)模式而非線性模式下運(yùn)行。這意味著，當(dāng)晶體管導(dǎo)通并傳導(dǎo)電流時(shí)，電源路徑上的壓降最小。當(dāng)晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時(shí)，電源路徑中幾乎沒(méi)有電流。因此，半導(dǎo)體晶體管就像一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設(shè)計(jì)人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應(yīng)用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開(kāi)關(guān)模式同步降壓電源通常可實(shí)現(xiàn)90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
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TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來(lái)提高功率密度，占位面積比采
關(guān)鍵字： MOSFET FOM

推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

隨著電動(dòng)汽車（EV）數(shù)量的增加，對(duì)創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長(zhǎng)，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動(dòng)汽車相比，新型電動(dòng)汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)，快速DC充電站可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng)，為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等高增長(zhǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營(yíng)銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營(yíng)銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場(chǎng)正在迅速崛起，急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
關(guān)鍵字： SiC 電動(dòng)汽車

健康催生可穿戴多功能需求

可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂(lè)、運(yùn)動(dòng)和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢(shì)和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費(fèi)電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機(jī)遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長(zhǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規(guī)模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設(shè)備已成為過(guò)去5年來(lái)消費(fèi)電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴(yán)重的新冠疫情影響，部
關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009

ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品

1 無(wú)線基站羅姆（ROHM）針對(duì)無(wú)線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開(kāi)關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導(dǎo)通
關(guān)鍵字：耐高壓 MOSFET DC/DC 202009

有助于減輕激光光源電路的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)并提高測(cè)距精度

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項(xiàng)VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識(shí)別和測(cè)距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來(lái)驅(qū)動(dòng)光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨(dú)立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線長(zhǎng)度（寄生電感*3）無(wú)意中會(huì)影響光源的驅(qū)動(dòng)時(shí)間和輸出功率，這就對(duì)實(shí)現(xiàn)高精度感應(yīng)所需的短脈沖大功率光源帶來(lái)了局限性。ROHM此項(xiàng)新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV

內(nèi)置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片

一、芯片介紹繼推出5W和20W的開(kāi)關(guān)電源控制IC后，為滿足客戶對(duì)更多功率段的需求，金升陽(yáng)推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現(xiàn)低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補(bǔ)償功能和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償功能，輸出功率最大可達(dá)8W。二、產(chǎn)品應(yīng)用可廣泛應(yīng)用于AC
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安森美全面布局碳化硅市場(chǎng)：汽車、新能源、5G

目前，碳化硅市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)中，根據(jù)各大咨詢機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場(chǎng)。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場(chǎng)強(qiáng)、高能隙，以及高電子移動(dòng)速度和熱導(dǎo)率，讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
關(guān)鍵字：安森美 SiC 碳化硅

減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開(kāi)關(guān)性能，并將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對(duì)于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS