封裝 文章 進(jìn)入封裝技術(shù)社區(qū)
高功率LED的封裝結(jié)構(gòu)分析
- 長久以來顯示應(yīng)用一直是led發(fā)光元件主要訴求，并不要求LED高散熱性，因此LED大多直接封裝于一般樹脂系基板，然而2000年以后隨著LED高輝度化與高效率化發(fā)展，尤其是藍(lán)光LED元件的發(fā)光效率獲得大幅改善，液晶、家電、汽
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封裝：整合浪潮起 產(chǎn)業(yè)鏈完善中
- 據(jù)證券時(shí)報(bào) 隨著國內(nèi)企業(yè)的一擁而上，LED行業(yè)供給過剩、產(chǎn)品價(jià)格下跌、毛利率下滑、整體增速放緩的問題日益凸顯。在行業(yè)處于調(diào)整期的時(shí)候，有規(guī)模、有資金實(shí)力的龍頭企業(yè)開始進(jìn)行全產(chǎn)業(yè)鏈整合，提升自身競爭力。 曾幾何時(shí)，中國臺灣封裝產(chǎn)量占據(jù)著世界60%以上的產(chǎn)量。然而，隨著近些年中國大陸LED封裝企業(yè)競爭優(yōu)勢的日益顯現(xiàn)，中國大陸逐漸成為了世界LED封裝中心。目前國內(nèi)LED封裝中心主要分布在珠三角、長三角和福建等地區(qū)。珠三角地區(qū)的LED封裝企業(yè)數(shù)量超過了全國的三分之二，約占全國LED封裝企業(yè)總量的68%。
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封裝行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)
- 隨著現(xiàn)代印刷電路板(PCB)、多芯片模塊(MCM)、堆疊式片以及硅通孔(TSV)器件上封裝器件越來越密集、越來越復(fù)雜，遭遇封裝器件失效的可能性也越來越明顯、越來越成問題。失效分析工程師一直在不斷地設(shè)法優(yōu)化工具、算法
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英飛凌推出創(chuàng)新型H-PSOF封裝技術(shù)
- 英飛凌科技股份公司近日推出一種創(chuàng)新型封裝技術(shù)，為純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車等要求苛刻的汽車電子應(yīng)用帶來更大的電流承受能力和更高效率。新推出的TO封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)H-PSOF(散熱型塑料小外形扁平引線)。首批推出的采用H-PSOF封裝技術(shù)的產(chǎn)品是40V OptiMOS? T2功率晶體管，它們的漏極電流高達(dá)300A，導(dǎo)通電阻(RDS(on))低至0.76毫歐。 性能更高的功率電子元器件, 可幫助汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員達(dá)到更高的強(qiáng)制性的汽車燃油效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)滿足苛刻的總體排放要求。為達(dá)到這些標(biāo)準(zhǔn)，需要采
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英飛凌面向汽車電子推出創(chuàng)新型H-PSOF封裝
- 德國紐必堡訊–英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出一種創(chuàng)新型封裝技術(shù)，為純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車等要求苛刻的汽車電子應(yīng)用帶來更大的電流承受能力和更高效率。新推出的TO封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)H-PSOF (散熱型塑料小外形扁平引線)。首批推出的采用H-PSOF封裝技術(shù)的產(chǎn)品是40V OptiMOS? T2功率晶體管，它們的漏極電流高達(dá)300A，導(dǎo)通電阻(RDS(on))低至0.76毫歐。
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從顯示屏應(yīng)用看LED封裝企業(yè)的技術(shù)附加值
- LED行業(yè)的高速成長促使了其分支“LED顯示屏應(yīng)用領(lǐng)域”的蓬勃發(fā)展，作為一名從事LED封裝行業(yè)多年的工作者，數(shù)年...
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2012半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅個(gè)位數(shù)成長
- 2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅個(gè)位數(shù)成長似乎已成業(yè)界共識，成長率分別從2~8%不等，雖然產(chǎn)業(yè)維持成長態(tài)勢，但也將面臨許多挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)界需要更多合作創(chuàng)新。以封裝業(yè)而言，矽品副總經(jīng)理馬光華便表示，已有不少跨產(chǎn)業(yè)合作的例子，包括封裝業(yè)與太陽能合作，也有封裝業(yè)跨足LED領(lǐng)域的情況。此外，他認(rèn)為產(chǎn)業(yè)不會(huì)有獨(dú)大的情況，存在2個(gè)以上的主要廠商才是正常。 2011年景氣不如年初所預(yù)期，呈現(xiàn)虎頭蛇尾走勢，主要受到日本311地震、歐債問題及
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2.5D IC封裝超越摩爾定律，改變游戲規(guī)則
- 近日，有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破：一個(gè)是意法半導(dǎo)體宣布將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)，在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法(無需打線綁定)，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的集成度和性能。另一個(gè)則是賽靈思宣布通過堆疊硅片互聯(lián) (SSI) 技術(shù)，將四個(gè)不同 FPGA 芯片在無源硅中介層上并排互聯(lián)，結(jié)合TSV技術(shù)與微凸塊工藝，構(gòu)建了相當(dāng)于容量達(dá)2000萬門ASIC的可編程邏輯器件。雖然同樣是基于TSV技術(shù)
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臺積電為3D IC逐步整合至封裝領(lǐng)域
- 據(jù)悉，臺積電目前正幫5家廠商生產(chǎn)3D測試芯片，包括找艾克爾(Amkor)當(dāng)封裝伙伴的賽靈思(Xilinx)。不過臺積電表示，首批3D客戶還是可持續(xù)仰賴外部合作伙伴，但未來新客戶則只會(huì)提供單一整合解決方案。 臺積電已瞄準(zhǔn)3D IC蓄勢待發(fā)的商機(jī)積極搶攻，期藉晶圓廠整合能力，將觸角伸及封裝領(lǐng)域。3D IC的生產(chǎn)流程須在前端晶圓代工制程進(jìn)行硅穿孔，或是在后端封裝廠才執(zhí)行。從晶圓廠立場來說，在晶圓代工階段即導(dǎo)入硅穿孔制程，亦即所謂的Via First，對芯片業(yè)者來說較具競爭力，可滿足客戶控管成本及加快產(chǎn)
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封裝介紹
程序 封裝 (encapsulation)
隱藏對象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別.
封裝 (encapsulation)
封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。
封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]
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