晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
揭秘IGBT市場成長的動力來源
- 據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動器(MotorDrive)、不斷電動力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場的成長動力來源。
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聯(lián)發(fā)科：臺積電是最大代工伙伴
- 手機(jī)芯片廠聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江表示，目前28納米制程只有臺積電一家晶圓代工伙伴，未來先進(jìn)制程臺積電也將是最大合作伙伴。 謝清江今天與媒體餐敘。面對媒體提問聯(lián)發(fā)科制程技術(shù)推進(jìn)進(jìn)度，謝清江指出，即將于20日正式發(fā)表的8核心智能手機(jī)方案將采臺積電28納米HPM制程。 謝清江說，目前聯(lián)發(fā)科28納米制程技術(shù)只有臺積電一家合作伙伴。破除聯(lián)發(fā)科轉(zhuǎn)單格羅方德(Globalfoundries)的市場傳言。 謝清江表示，LTE芯片因集成度高，須采用20納米制程技術(shù);聯(lián)發(fā)科預(yù)計明年下半年制程技術(shù)
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臺積電張忠謀：明年營運(yùn)樂觀看待 資本支出與今年相當(dāng)
- 臺積電17日舉辦法說。臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀會中提及明年資本支出。他說，目前尚無法說出具體數(shù)字但約是將較今年相當(dāng)、約在100億美元，同時該公司先進(jìn)制程技術(shù)已滲透各應(yīng)用領(lǐng)域，不宜單一面向解讀;因此他也仍樂觀看待2014年營運(yùn)。 臺積電在新臺幣兌美元29.5基礎(chǔ)上，預(yù)估第4季營收在1440至1470億元之間;此水準(zhǔn)約季減在9.6%至11.4%之間。 以臺積電預(yù)估第4季營收季減約10.5%左右，張忠謀說，此季節(jié)修正僅是一個短期過程;同時臺積電目前雖尚無法說出明年資本支出具體數(shù)字，但約是將較
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同盟大軍 成臺積電最佳后盾
- 臺積電欽點漢微科、家登、辛耘、中砂、中德、盟立、沛鑫等多家臺灣半導(dǎo)體設(shè)備及材料廠投入研發(fā)，打造「18寸晶圓同盟」。臺積電提前18寸晶圓廠建廠腳步，聯(lián)盟成員蓄勢待發(fā)，是臺積電左打三星、右踢英特爾的最佳后盾。 漢微科在半導(dǎo)體先進(jìn)制程設(shè)備長期需求看佳帶動下，上周五股價一度超越大立光，躍居臺股股王，盡管收盤價992元、略低于大立光的995元，但在臺積電加快18寸廠建廠題材帶動下，本周臺股股王爭霸戰(zhàn)更有看頭。 家登已是英特爾18寸廠建廠晶圓傳載盒供應(yīng)鏈成員，與臺積電關(guān)系良好;其它包括從事離子植入機(jī)的
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山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
- 在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
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聯(lián)電Q3營收季增4.7% 世界季增4.36% 皆優(yōu)預(yù)期
- 聯(lián)電、世界9日公告9月業(yè)績數(shù)據(jù)，隨出貨減少、客戶庫存調(diào)整等，聯(lián)電單月營收減1.34%、世界減5%，但二者單季營收分別季增4.7%、4.36%皆優(yōu)預(yù)期。 聯(lián)電公布內(nèi)部自行結(jié)算9月合并營收為新臺幣108.51億元，月減1.34%，但較去年同期仍增加14.68%。 世界先進(jìn)公布9月營收17.84億元，受晶圓出貨量下滑，月減少5.32%，為近5個月以來低點，但年增21.74%。 另一方面，二者單季營收表現(xiàn)優(yōu)于原先預(yù)期，累計聯(lián)電第3季合并營收344.06億元，隨Wi-Fi與特殊制程應(yīng)用需求支撐
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Gartner預(yù)測半導(dǎo)體行業(yè)未來兩年將蘇
- 研究機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)期，半導(dǎo)體行業(yè)未來兩年將蘇，晶片股今早炒上。Gartner指，手機(jī)市池軟，使今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出，料僅346億美元，按年降8.5%，而行業(yè)整體資本開支將減少6.8%，不過，近期訂單出貨情況已見好轉(zhuǎn)，加上業(yè)界在存儲器的支出有起色，料下半年整體開支超越上半年，且可延續(xù)至之后兩年，估計2014年半導(dǎo)體資本開支將增加14.1%，2015年再增13.8%，但到2016年會回落2.8%。 Gartner又預(yù)期，今年上半年晶圓設(shè)備產(chǎn)能使用率，在80%水平徘徊，明年初可望提高至80
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日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線
- 9月20日，日本東北大學(xué)為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地(GINTI：Global INTegration Initiative)”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關(guān)人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術(shù)中心(宮城縣多賀城市)內(nèi)的“宮城復(fù)興工業(yè)園”建成的GINTI，同時在仙臺市內(nèi)的酒店舉辦了紀(jì)念演講會。 GINTI是為半導(dǎo)體廠商及研究機(jī)構(gòu)提供三維LSI試制環(huán)境(采用300mm晶圓)的基地。該項目由著名的三維
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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備
- 據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。 RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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